Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (875)
SIHP5N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP7N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 78Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHS36N50D-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 36 А Производитель: Vishay Корпус: Super-247 (TO-274AA) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 446Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 125нКл Входная емкость: 3233пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHU3N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 3.2 Ом Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 175пФ Тип монтажа: Through Hole
SIJ482DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 69.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 2425пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR158DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 4980пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR172ADP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 24A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 29.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1515пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR402DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 35 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR404DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 97нКл Входная емкость: 8130пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR410DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 35 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR414DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 117нКл Входная емкость: 4750пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR416DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 3350пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR418DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 2410пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR422DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм Мощность макс.: 34.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1785пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR424DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 30A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм Мощность макс.: 41.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Surface Mount
Новинка SIR426DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 40В 30A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 41.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1160пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR438DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 105нКл Входная емкость: 4560пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR440DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.55 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 6000пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR460DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 2071пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR462DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 30A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 7.9 мОм Мощность макс.: 41.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1155пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице: