Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (877)
SIRA14DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 58 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 58A Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм Мощность макс.: 31.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1450пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIS402DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 35 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIS410DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 35 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIS412DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12А 15.6Вт Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 15.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 435пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIS434DN-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 40В 35A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 7.6 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1530пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIS438DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 16 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 27.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIS443DN-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 35 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 11.7 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 135нКл Входная емкость: 4370пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIS468DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 30 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 19.5 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 780пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIS476DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 77нКл Входная емкость: 3595пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIS862DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.6В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1320пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIS890DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 30 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 23.5 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 802пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIS892ADN-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19.5нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
SISA04DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 2.15 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 77нКл Входная емкость: 3595пФ Тип монтажа: Surface Mount
Новинка SISA12ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 25A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм Мощность макс.: 28Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2070пФ Тип монтажа: Surface Mount
Новинка SIZ980DT-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A/60А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® ChipFet Dual Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20А Тип транзистора: N-канальный
SQ1922EEH-T1_GE3 Trans MOSFET N-CH 20V 0.84A Automotive 6-Pin SC-70 T/R Производитель: Vishay Корпус: SC-70
SQ2308CES-T1_GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 2.3A Aвтомобильного применения Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 5.3нКл Входная емкость: 205пФ Тип монтажа: Surface Mount
Новинка SQ2310ES-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A Производитель: Vishay Корпус: TO-236 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 485пФ Тип монтажа: Surface Mount
SQ2351ES-T1_GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 3.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
SQ2361ES-T1_GE3 Полевой транзистор P-канальный 60В 2.8A автомобильного применения 3-Pin TO-236 лента на катушке Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.8A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive
На странице: