- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
895
Производитель:
Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (895)
SIA440DJ-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
21.5нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA441DJ-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
890пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA445EDJ-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
16.5 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA447DJ-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
850mВ
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
12А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA449DJ-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA456DJ-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
1.38 Ом
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
14.5нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA461DJ-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
17.9Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA483DJ-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIB456DK-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-75-6L Single
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
185 мОм
Мощность макс.:
13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIB912DK-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.5A 6-Pin PowerPAK SC-75 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-75-6L Dual
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
216 мОм @ 1.8А, 4.5В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SIDR680DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SIE818DF-T1-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PolarPAKВ®10-(L)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
3200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIE822DF-T1-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PolarPAKВ®10-(S)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
3.4 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
4200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHB12N60E-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
937пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHB12N65E-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DBІPAK (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
156Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1224пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHB15N60E-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHB15N65E-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
15A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHB22N60E-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
1920пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара