Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

895
Производитель: Vishay
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (895)
SIHG22N60E-GE3 SIHG22N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
1920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
145 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
122нКл
Входная емкость:
2740пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG25N40D-GE3 SIHG25N40D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 25A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
278Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
88нКл
Входная емкость:
1707пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG32N50D-E3 SIHG32N50D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
390Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
96нКл
Входная емкость:
2550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG32N50D-GE3 SIHG32N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
390Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
96нКл
Входная емкость:
2550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG35N60EF-GE3 SIHG35N60EF-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 32А 250Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
32А
Сопротивление открытого канала:
0.084Ом
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
64 мОм
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
9620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG64N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 64A
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
64A
Тип транзистора:
N-канал
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 73A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
73A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
520Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
362нКл
Входная емкость:
7700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHP12N60E-GE3 SIHP12N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
937пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHP14N50D-GE3 SIHP14N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
1144пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHP15N60E-GE3 SIHP15N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHP17N60D-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 17 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
SIHP18N50C-E3 SIHP18N50C-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
223Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
76нКл
Входная емкость:
2942пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHP22N60E-GE3 SIHP22N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
1920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHP24N65E-GE3 SIHP24N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
145 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
122нКл
Входная емкость:
2740пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHP25N40D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 25 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
SIHP30N60E-GE3 SIHP30N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHP5N50D-GE3 SIHP5N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5.3A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
325пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHP7N60E-GE3 SIHP7N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
78Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице: