Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

895
Производитель: Vishay
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (895)
SIHS36N50D-E3 SIHS36N50D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 36A
Производитель:
Vishay
Корпус:
Super-247 (TO-274AA)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
130 мОм
Мощность макс.:
446Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
125нКл
Входная емкость:
3233пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHU3N50D-GE3 SIHU3N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
3.2 Ом
Мощность макс.:
69Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
175пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIJ482DP-T1-GE3 SIJ482DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
6.2 мОм
Мощность макс.:
69.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В
Заряд затвора:
71нКл
Входная емкость:
2425пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR158DP-T1-GE3 SIR158DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
1.8 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
4980пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR172ADP-T1-GE3 SIR172ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
29.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1515пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR402DP-T1-GE3 SIR402DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR404DP-T1-GE3 SIR404DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
1.6 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
97нКл
Входная емкость:
8130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR410DP-T1-GE3 SIR410DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
4.8 мОм
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR414DP-T1-GE3 SIR414DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
2.8 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
117нКл
Входная емкость:
4750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR416DP-T1-GE3 SIR416DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
3.8 мОм
Мощность макс.:
69Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
3350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR418DP-T1-GE3 SIR418DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
75нКл
Входная емкость:
2410пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR422DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
6.6 мОм
Мощность макс.:
34.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1785пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR424DP-T1-GE3 SIR424DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм
Мощность макс.:
41.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR438DP-T1-GE3 SIR438DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
1.8 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
105нКл
Входная емкость:
4560пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR440DP-T1-GE3 SIR440DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
1.55 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
6000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR460DP-T1-GE3 SIR460DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
54нКл
Входная емкость:
2071пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR462DP-T1-GE3 SIR462DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
7.9 мОм
Мощность макс.:
41.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1155пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
2730пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR470DP-T1-GE3 SIR470DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
2.3 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
155нКл
Входная емкость:
5660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR570DP-T1-RE3 SIR570DP-T1-RE3 MOSFET, N-CH, 150V, 77.4A, POWERPAK SO;
Производитель:
Vishay
На странице: