- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (875)
SIR466DP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм
Мощность макс.: 54Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Заряд затвора: 65нКл
Входная емкость: 2730пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIR470DP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 60 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм
Мощность макс.: 104Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 155нКл
Входная емкость: 5660пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIR640ADP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 60 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 2 мОм
Мощность макс.: 104Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 90нКл
Входная емкость: 4240пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIR698DP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.5 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 7.5A
Сопротивление открытого канала: 195 мОм
Мощность макс.: 23Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 8нКл
Входная емкость: 210пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIR804DP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 7.2 мОм
Мощность макс.: 104Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 76нКл
Входная емкость: 2450пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIR836DP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 21 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 21A
Сопротивление открытого канала: 19 мОм
Мощность макс.: 15.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIR846ADP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 7.8 мОм
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 2350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIR866DP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 60 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 107нКл
Входная емкость: 4730пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIR870ADP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм
Мощность макс.: 104Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 80нКл
Входная емкость: 2866пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIR872ADP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 53.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 53.7A
Сопротивление открытого канала: 18 мОм
Мощность макс.: 104Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 47нКл
Входная емкость: 1286пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIR872DP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 53.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 53.7A
Сопротивление открытого канала: 18 мОм
Мощность макс.: 104Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 64нКл
Входная емкость: 2130пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIR876ADP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 40 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 10.8 мОм
Мощность макс.: 62.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
Заряд затвора: 49нКл
Входная емкость: 1630пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIR880ADP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 60 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 72нКл
Входная емкость: 2289пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIR882ADP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 1975пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIRA00DP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 1 мОм
Мощность макс.: 104Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 220нКл
Входная емкость: 11700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIRA04DP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 2.15 мОм
Мощность макс.: 62.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 77нКл
Входная емкость: 3595пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIRA06DP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм
Мощность макс.: 62.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 77нКл
Входная емкость: 3595пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIRA10DP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 51нКл
Входная емкость: 2425пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIRA14DP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 58 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 58A
Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм
Мощность макс.: 31.2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 1450пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIS402DN-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 35 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 6 мОм
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 42нКл
Входная емкость: 1700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара