- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Vishay
895
Производитель:
Vishay
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (895)
SIR640ADP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
4240пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR698DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
195 мОм
Мощность макс.:
23Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
8нКл
Входная емкость:
210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR804DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
7.2 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
76нКл
Входная емкость:
2450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR836DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 21A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
15.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR846ADP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
7.8 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
2350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR866DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
1.9 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
107нКл
Входная емкость:
4730пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR870ADP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
6.6 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2866пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR872ADP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 53.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
53.7A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
1286пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR872DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 53.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
53.7A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
2130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR876ADP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
10.8 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
49нКл
Входная емкость:
1630пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR880ADP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
6.3 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2289пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR882ADP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1975пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIRA00DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
1 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
11700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIRA04DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
2.15 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
77нКл
Входная емкость:
3595пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIRA06DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
77нКл
Входная емкость:
3595пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIRA10DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
2425пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIRA14DP-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
58A
Сопротивление открытого канала:
5.1 мОм
Мощность макс.:
31.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS110DN-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 70В 42.3А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара