Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
254-
Сортировать по:
YJS10N02A
Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 10 А, Rот.(мин) 11 мОм, Rот.при Uз(ном), min 11 мОм, Rот.при Uз(ном), max 18.2 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 11.05 нКл, Р=1.9 Вт, Сз=888пФ
YJS12G10A
Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 12 А, Rот.(мин) 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14.5 мОм, диап. Uз мин. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=3.1 Вт, Сз=1 135пФ
YJS18N03A
Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 18 А, Rот.(мин) 4.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 4.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 6.6 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 46.3 нКл, Р=3 Вт, Сз=2 191пФ
YJS2022A
Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; полевой; 20В; -10,4А; 3Вт
YJS2305A
Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -5.4 А, Rот.(мин) 27 мОм, Rот.при Uз(ном), min 27 мОм, Rот.при Uз(ном), max 48 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 10.98 нКл, Р=1.2 Вт, Сз=1 010пФ
YJS2308A
Корпус SOT236, Транзистор MOSFET Р-N-кан.Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 5.6 А, Rот.(мин) 19.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 19.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 33 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 6.05 нКл, Р=1.3 Вт, Сз=418пФ
YJS3404A
Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 8.5 А, Rот.(мин) 14 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14 мОм, Rот.при Uз(ном), max 23 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 12.22 нКл, Р=2.5 Вт, Сз=526пФ
YJS4407C
Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -12 А, Rот.(мин) 7.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 10 мОм, диап. Uз мин. -20 В, Qз 38 нКл, Р=2.5 Вт, Сз=1 860 Ф
YJS4409B
P-Channel 30V 18A 3W Surface Mount SOP-8
YJS4435B
Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -10 А, Rот.(мин) 14 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14 мОм, Rот.при Uз(ном), max 28 мОм, Qз 24 нКл, Р=2.5 Вт
YJS4438A
Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 8.2 А, Rот.(мин) 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 17 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 51 нКл, Р=3.1 Вт, Сз=2 027пФ
YJS4447B
Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -18 А, Rот.(мин) 5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 6.9 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 25 В, Qз 111.7 нКл, Р=3.4 Вт, Сз=6 464пФ
YJS8205B
Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 7 А, Rот.(мин) 13 мОм, Rот.при Uз(ном), min 13 мОм, Rот.при Uз(ном), max 21 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 11.05 нКл, Р=1.5 Вт, Сз=888пФ
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD. в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD. - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD. в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD. в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.