Одиночные IGBT транзисторы

202
Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (202)
STGD6NC60HDT4 STGD6NC60HDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 7 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
15 А
Импульсный ток коллектора макс.:
21 А
Макс. рассеиваемая мощность:
56 Вт
Переключаемая энергия:
20 мкДж
Наличие:
1 685 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 45,06
IRGP4062DPBF IRGP4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
48 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
Наличие:
1 237 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 144,41
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 428 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
225 А
Макс. рассеиваемая мощность:
428 Вт
Переключаемая энергия:
4.5 мДж
Наличие:
1 164 шт

Внешние склады:
500 шт
Цена от:
от 264,27
IRGP4063DPBF IRGP4063DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
96 А
Импульсный ток коллектора макс.:
144 А
Макс. рассеиваемая мощность:
330 Вт
Переключаемая энергия:
625 мкДж
Наличие:
909 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 410,36
STGP10NC60KD STGP10NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 65 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
65 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
Наличие:
884 шт

Внешние склады:
310 шт
Цена от:
от 92,53
FGH60N60SMD FGH60N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
180 А
Макс. рассеиваемая мощность:
600 Вт
Переключаемая энергия:
1.26 мДж
Наличие:
847 шт

Внешние склады:
860 шт
Цена от:
от 207,52
STGW60V60DF STGW60V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
375 Вт
Переключаемая энергия:
750 мкДж
Наличие:
813 шт

Внешние склады:
360 шт
Цена от:
от 252,98
Акция
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
1.19 мДж
Наличие:
670 шт

Внешние склады:
1 860 шт
Цена от:
от 157,23
Акция
FGH40N60SMD FGH40N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
349 Вт
Переключаемая энергия:
870 мкДж
Наличие:
618 шт

Внешние склады:
374 шт
Аналоги:
100 шт
Цена от:
от 251,12
STGW20NC60VD STGW20NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 200 Вт, 30 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
220 мкДж
Наличие:
577 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 222,54
-6% Акция
STGP6NC60HD STGP6NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 56 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
15 А
Импульсный ток коллектора макс.:
21 А
Макс. рассеиваемая мощность:
56 Вт
Переключаемая энергия:
20 мкДж
Наличие:
388 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 30,78
STGW39NC60VD STGW39NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 250 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
220 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
333 мкДж
Наличие:
388 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 169,19
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 60 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
65 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
Наличие:
382 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 59,28
STGW30NC60WD STGW30NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 200 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
305 мкДж
Наличие:
313 шт

Внешние склады:
109 шт
Цена от:
от 192,09
IRG4BC30WPBF IRG4BC30WPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
130 мкДж
Наличие:
310 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 118,60
STGD3NB60SDT4 STGD3NB60SDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 3 А, 48 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
6 А
Импульсный ток коллектора макс.:
25 А
Макс. рассеиваемая мощность:
48 Вт
Переключаемая энергия:
1.15 мДж
Наличие:
291 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 73,24
IRGP4640DPBF IRGP4640DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 65 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
65 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
Наличие:
265 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 435,92
STGF6NC60HD STGF6NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 3 А, 20W
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
6 А
Импульсный ток коллектора макс.:
21 А
Макс. рассеиваемая мощность:
20 Вт
Переключаемая энергия:
20 мкДж
Наличие:
265 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 87,09
STGW30V60DF STGW30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 258 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
258 Вт
Переключаемая энергия:
383 мкДж
Наличие:
240 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 185,71
Акция
STGF14NC60KD STGF14NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 28 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
28 Вт
Переключаемая энергия:
82 мкДж
Наличие:
232 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 97,57
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"