Одиночные IGBT транзисторы

285
Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (285)
IXXK100N60C3H1 IXXK100N60C3H1 TRANSISTOR, IGBT, 600V, 170A, TO-264;
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
IXXN200N60B3 IXXN200N60B3 IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
NGTB15N60S1EG NGTB15N60S1EG Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 117 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
117 Вт
Переключаемая энергия:
550 мкДж
NGTB50N60FL2WG Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 50A TO247
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
SGH80N60UFDTU SGH80N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 195 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
220 А
Макс. рассеиваемая мощность:
195 Вт
Переключаемая энергия:
570 мкДж
SGL50N60RUFDTU SGL50N60RUFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
1.68 мДж
SGP23N60UFDTU SGP23N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
SGS10N60RUFDTU SGS10N60RUFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 55 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
16 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
55 Вт
Переключаемая энергия:
141 мкДж
SGS23N60UFDTU SGS23N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 73 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
73 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
Акция
SGW50N60HS SGW50N60HS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 416 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
416 Вт
Переключаемая энергия:
1.96 мДж
SKW30N60HS SKW30N60HS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 41 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
41 А
Импульсный ток коллектора макс.:
112 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
1.15 мДж
STGB10H60DF STGB10H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 115 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
115 Вт
Переключаемая энергия:
83 мкДж
STGB14NC60KDT4 STGB14NC60KDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 14 А, 80 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
25 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
80 Вт
Переключаемая энергия:
82 мкДж
STGB15H60DF STGB15H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 115 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
STGB19NC60KDT4 125W -55-~+150-@(Tj) 35A 600V 75A 0.255mJ 0.165mJ D2PAK IGBTs ROHS
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
STGB20H60DF STGB20H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 167 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
209 мкДж
STGB20NC60V STGB20NC60V Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 60A 200Вт 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
STGB20V60DF STGB20V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 167 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
200 мкДж
STGB30H60DFB STGB30H60DFB Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 60A 260Вт 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
STGB30V60DF STGB30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 258 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
258 Вт
Переключаемая энергия:
383 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"