SGP23N60UFDTU, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
SGP23N60UFDTU
Документы:
Описание SGP23N60UFDTU
Характеристики
| Структура | n-канал+диод |
|---|---|
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 23 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.1 |
| Управляющее напряжение,В | 4.5 |
| Мощность макс.,Вт | 100 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Температурный диапазон,С | -55…150 |
| Дополнительные опции | - |
| Корпус | to220 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара