Одиночные IGBT транзисторы

202
Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (202)
-5% Акция
STGP7NC60HD STGP7NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 14 А, 80 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
25 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
80 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
Наличие:
205 шт

Внешние склады:
310 шт
Цена от:
от 139,94
IRG4BC30UPBF IRG4BC30UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
160 мкДж
Наличие:
198 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 213,62
-5% Акция
IRGB4630DPBF IRGB4630DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 47 А, 206 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
47 А
Импульсный ток коллектора макс.:
54 А
Макс. рассеиваемая мощность:
206 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
Наличие:
198 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 239,75
FGH40N60SMD FGH40N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
349 Вт
Переключаемая энергия:
870 мкДж
Наличие:
193 шт

Внешние склады:
65 шт
Аналоги:
70 шт
Цена от:
от 295,70
IRGB4061DPBF IRGB4061DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 36 А, 206 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
36 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
206 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
Наличие:
184 шт

Внешние склады:
242 шт
Цена от:
от 128,81
IRGB4056DPBF IRGB4056DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 140 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
24 А
Импульсный ток коллектора макс.:
48 А
Макс. рассеиваемая мощность:
140 Вт
Переключаемая энергия:
75 мкДж
Наличие:
170 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 257,80
IRGP20B60PDPBF IRGP20B60PDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 220 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
220 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
Наличие:
159 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 575,32
-5% Акция
STGP10NC60HD STGP10NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 56 Вт, 10 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
65 Вт
Переключаемая энергия:
31.8 мкДж
Наличие:
146 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 132,12
IRGP35B60PDPBF IRGP35B60PDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 308 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
308 Вт
Переключаемая энергия:
220 мкДж
Наличие:
138 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 695,49
IRGP4063PBF IRGP4063PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
96 А
Импульсный ток коллектора макс.:
144 А
Макс. рассеиваемая мощность:
330 Вт
Переключаемая энергия:
625 мкДж
Наличие:
132 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 283,89
Новинка
STGW19NC60HD STGW19NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 21 А, 600 В, 140W
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
42 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
140 Вт
Переключаемая энергия:
85 мкДж
Наличие:
130 шт

Внешние склады:
40 шт
Цена от:
от 304,77
-5% Акция
IRG4BC40KPBF IRG4BC40KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 42 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
42 А
Импульсный ток коллектора макс.:
84 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
620 мкДж
Наличие:
119 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 248,14
Акция
FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
165 Вт
Переключаемая энергия:
370 мкДж
Наличие:
114 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 396,02
IRGB4062DPBF IRGB4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
48 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
Наличие:
113 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 327,62
IRGS4620DPBF IRGS4620DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 32 А, 140 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
32 А
Импульсный ток коллектора макс.:
36 А
Макс. рассеиваемая мощность:
140 Вт
Переключаемая энергия:
75 мкДж
Наличие:
111 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 211,70
-5% Акция
IRG4PC40FPBF IRG4PC40FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 49 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
49 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
370 мкДж
Наличие:
106 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 451,70
-5% Акция
IRGB4059DPBF IRGB4059DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А, 56 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
8 А
Импульсный ток коллектора макс.:
16 А
Макс. рассеиваемая мощность:
56 Вт
Переключаемая энергия:
35 мкДж
Наличие:
106 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 49,89
Акция
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 65 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
65 Вт
Переключаемая энергия:
31.8 мкДж
Наличие:
103 шт

Внешние склады:
230 шт
Цена от:
от 163,56
IRG4BC40SPBF IRG4BC40SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
Наличие:
101 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 291,12
IRG4PSC71UPBF IRG4PSC71UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 350 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO274AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
85 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
350 Вт
Переключаемая энергия:
420 мкДж
Наличие:
99 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 663,36
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"