Одиночные IGBT транзисторы

131
Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (131)
FGHL50T65SQ FGHL50T65SQ Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 50 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
FGW75N65WE 520W 650V TO-247 Single IGBTs RoHS
Производитель:
Fuji Electric
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
FGY160T65SPD-F085 FGY160T65SPD-F085 IGBT, SINGLE, N-CH, 650V, 240A, TO-247-3; DC Collector Current:240A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:882W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
IGB20N65S5ATMA1 IGB20N65S5ATMA1 IGBT, 650V, 40A, 175DEG C, 125W;
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
IGB50N65H5ATMA1 IGB50N65H5ATMA1 IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-263; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.65V; Power Dissipation Pd:270W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-263; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.35V; Power Dissipation Pd:270W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
IGP30N65F5XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 55A 188Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
IGP40N65F5XKSA1 IGP40N65F5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255W
IGW30N65L5XKSA1 IGW30N65L5XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 85A 227Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
IGW40N65F5FKSA1 IGW40N65F5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255W
IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
305 Вт
Переключаемая энергия:
490 мкДж
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
305 Вт
Переключаемая энергия:
520 мкДж
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 120A 395Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
IHW30N65R5XKSA1 IHW30N65R5XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 60A TO247-3
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
IKA08N65ET6XKSA1 IKA08N65ET6XKSA1 Trans IGBT Chip N-CH 650V 11A 33000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
IKA08N65F5XKSA1 IKA08N65F5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 10.8 А, 31.2 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
10.8 А
Импульсный ток коллектора макс.:
24 А
Макс. рассеиваемая мощность:
31.2 Вт
Переключаемая энергия:
70 мкДж
IKA08N65H5XKSA1 IKA08N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 10.8 А, 31.2 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
10.8 А
Импульсный ток коллектора макс.:
24 А
Макс. рассеиваемая мощность:
31.2 Вт
Переключаемая энергия:
70 мкДж
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6XKSA2 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 15A TO220-3
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
IKA15N65ET6XKSA2 IKA15N65ET6XKSA2 Trans IGBT Chip N-CH 650V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"