Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (684)
STGW60H60DLFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 375W Переключаемая энергия: 626 мкДж
STGW60H65DF Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 360 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 360 Вт Переключаемая энергия: 1.5 мДж
Акция STGW60H65DRF Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 420 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 420 Вт Переключаемая энергия: 940 мкДж
STGW60H65F Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 360 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 360 Вт Переключаемая энергия: 750 мкДж
STGW60V60F IGBT 600V 80A 375W TO247 Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Импульсный ток коллектора макс.: 240A Макс. рассеиваемая мощность: 375W Переключаемая энергия: 750 µJ (on), 550 µJ (off)
STGW80V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 469 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 469 Вт Переключаемая энергия: 1.8 мДж
Новинка STGWA20H65DFB2 IGBT N-CH 650V 40A 147000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Производитель: ST Microelectronics
STGWA40H120F2 IGBT 40A (@100C) 1200V, TRENCH G Производитель: ST Microelectronics
Акция STGWT20H60DF Биполярный транзистор IGBT, 20 А, 167 Вт, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 167 Вт Переключаемая энергия: 209 мкДж
STGWT30H60DFB IGBT N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3PBL Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 60A Импульсный ток коллектора макс.: 120A Макс. рассеиваемая мощность: 260W Переключаемая энергия: 383 µJ (on), 293 µJ (off)
STGWT40H60DLFB Биполярный транзистор IGBT, 40 А, 283 Вт, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 40A Переключаемая энергия: 363 мкДж
STGWT40H65DFB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 283 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 283 Вт Переключаемая энергия: 498 мкДж
STGWT80H65DFB Биполярный транзистор IGBT, 80А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 469 Вт Переключаемая энергия: 2.1 мДж
STGY40NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 260 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: MAX247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 260 Вт Переключаемая энергия: 330 мкДж
Акция STGY50NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 278 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: MAX247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 110 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 278 Вт Переключаемая энергия: 365 мкДж
TIG065E8-TL-H IGBT 400V ECH8 Производитель: ON Semiconductor Корпус: 8-ECH Макс. напр. коллектор-эмиттер: 400V Импульсный ток коллектора макс.: 150A
XNA30N60T-A01 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А TO-263 Производитель: Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd
XNA30N65T Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А TO-263 Производитель: Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd
Новинка XNF15N60T Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А TO-220F Производитель: Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd
Новинка XNF20N60T Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40А TO-220F Производитель: Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"