8 800 1000 321 - контакт центр
  • STGWT80H65DFB

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ST Microelectronics

Описание

IGBT 80A (@100C) 600V TRENCH GAT

Биполярный транзистор IGBT, 80А, 600 В

Документация

DataSheet
Код товара: 158987
Дата обновления: 21.06.2018 03:30
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 30 шт: 291.530 руб.
от 18 шт: 302.440 руб.
от 9 шт: 317.850 руб.
от 5 шт: 344.140 руб.
от 1 шт: 370.430 руб.
18 шт 1 день1 шт.1 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
TO-3P
Нормоупаковка
30 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Вес нетто
5.6 г
Макс. напр. коллектор-эмиттер
650 В
Макс. ток коллектора
120 А
Импульсный ток коллектора макс.
240 А
Напр. насыщения К-Э макс.
2 В
Макс. рассеиваемая мощность
469 Вт
Переключаемая энергия
2.1 мДж
Заряд затвора
414 нКл
Время задержки вкл./выкл.
84 нс/280 нс
Время обратного восстановления
85 нс

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
18 шт.
Интернет-магазин
18 шт.

Поделиться:
сообщение об ошибке