Одиночные IGBT транзисторы

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (684)

IRGP35B60PDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 308 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 308 Вт Переключаемая энергия: 220 мкДж

Наличие:

217 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 749,49₽

IRGP4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 48 А Импульсный ток коллектора макс.: 72 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 115 мкДж

Наличие:

1 шт

Под заказ:

12 500 шт

Цена от:

от 136,55₽

IRGP4063PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 96 А Импульсный ток коллектора макс.: 144 А Макс. рассеиваемая мощность: 330 Вт Переключаемая энергия: 625 мкДж

Наличие:

68 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 336,26₽

IRGP4066D-EPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 140 А, 454 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AD Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 140 А Импульсный ток коллектора макс.: 225 А Макс. рассеиваемая мощность: 454 Вт Переключаемая энергия: 2.47 мДж

Наличие:

35 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 939,10₽

IRGP4068D-EPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AD Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 96A Макс. рассеиваемая мощность: 330W Переключаемая энергия: 1.28 мДж

Наличие:

33 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 690,11₽

IRGP4068DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 96A Переключаемая энергия: 1.28 мДж

Наличие:

188 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 414,99₽

IRGP4069DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 76 А Импульсный ток коллектора макс.: 105 А Макс. рассеиваемая мощность: 268 Вт Переключаемая энергия: 390 мкДж

Наличие:

0 шт

Под заказ:

500 шт

Цена от:

от 1 284,87₽

IRGP4640DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 65 А, 250 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 65 А Импульсный ток коллектора макс.: 72 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 115 мкДж

Наличие:

129 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 580,83₽

IRGP4650DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 76 А Импульсный ток коллектора макс.: 105 А Макс. рассеиваемая мощность: 268 Вт Переключаемая энергия: 390 мкДж

Наличие:

73 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 724,04₽

IRGP4660DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 100 А Импульсный ток коллектора макс.: 144 А Макс. рассеиваемая мощность: 330 Вт Переключаемая энергия: 625 мкДж

Наличие:

32 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 510,36₽

IRGP4790DPBF Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 455 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650V

Наличие:

35 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 809,27₽

IRGPS4067DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 240 А, 750 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Super-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 240 А Импульсный ток коллектора макс.: 360 А Макс. рассеиваемая мощность: 750 Вт Переключаемая энергия: 5.75 мДж

Наличие:

62 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 775,78₽

IRGPS46160DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 240 А, 750 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Super-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 240 А Импульсный ток коллектора макс.: 360 А Макс. рассеиваемая мощность: 750 Вт Переключаемая энергия: 5.75 мДж

Наличие:

67 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 2 132,09₽

IRGS14C40LTRLP Биполярный транзистор IGBT, 400 В, 14 А, 125 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263)

Наличие:

60 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 334,77₽

Акция

IRGS4056DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 140 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 24 А Импульсный ток коллектора макс.: 48 А Макс. рассеиваемая мощность: 140 Вт Переключаемая энергия: 75 мкДж

Наличие:

10 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 228,27₽

IRGS4607DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 58 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 11 А Импульсный ток коллектора макс.: 12 А Макс. рассеиваемая мощность: 58 Вт Переключаемая энергия: 140 мкДж

Наличие:

3 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 48,00₽

IRGS4620DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 32 А, 140 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 32 А Импульсный ток коллектора макс.: 36 А Макс. рассеиваемая мощность: 140 Вт Переключаемая энергия: 75 мкДж

Наличие:

36 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 253,92₽

RJH3047DPK Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 330V Макс. ток коллектора: 50A

Наличие:

38 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 271,45₽

RJH60F5DPQ Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 260W

Наличие:

0 шт

Под заказ:

60 шт

Цена от:

от 673,03₽

RJH60F7DPQ-A0-T0 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 320 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 90A Макс. рассеиваемая мощность: 320W

Наличие:

1 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 338,78₽

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"