Одиночные IGBT транзисторы

182
Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (182)
IXYK140N120A4 IXYK140N120A4 Disc IGBT XPT Gen4 1200V 140A TO264 | Series: Trench
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IXYN100N120C3H1 IXYN100N120C3H1 690W 1.2kV SOT-227B IGBT Transistors / Modules ROHS
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IXYN82N120C3H1 IXYN82N120C3H1 IGBT-транзистор 1200В 105А 500Вт
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
SOT-227
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IXYN85N120C4H1 IXYN85N120C4H1 IGBT MODULE 1200V 150A
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
SOT-227
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IXYP20N120C4 IXYP20N120C4 375W 68A 1.2kV TO-220 IGBT Transistors / Modules ROHS
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IXYT40N120A4HV IXYT40N120A4HV Discrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO268HV | Series: Trench
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IXYX100N120B3 IGBT, SINGLE, N-CH, 1.2KV, 225A, PLUS247; DC Collector Current:225A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.2V; Power Dissipation Pd:1.15kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:PLUS247
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IXYX110N120C4 IXYX110N120C4 Disc IGBT XPT Gen4 1200V 110A PLUS247 | Series: Trench
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IXYX120N120B3 IXYX120N120B3 1.5kW 320A 1.2kV TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IXYX120N120C3 IXYX120N120C3 1.5kW 240A 1.2kV TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
NGTB15N120FL2WG TRANSISTOR, IGBT, 1.2KV, 30A, TO-247; DC Collector Current:30A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:294W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247; No. of P
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
NGTB25N120FL3WG NGTB25N120FL3WG IGBT, SINGLE, 1.2KV, 100A, TO-247-3; DC Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:349W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247; No. of
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
NGTB30N120IHSWG NGTB30N120IHSWG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30A
Переключаемая энергия:
1 мДж
NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 535 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
535 Вт
Переключаемая энергия:
3.4 мДж
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 160A 454Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
160A
Макс. рассеиваемая мощность:
454W
NGTB40N120IHRWG NGTB40N120IHRWG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 384 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
384W
Переключаемая энергия:
950 мкДж
NGTB50N120FL2WG NGTB50N120FL2WG IGBT Transistors 1200V/50A FAST IGBT FSII
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
SGB02N120ATMA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 6.2A 62Вт TO263-3
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
SGB07N120ATMA1 SGB07N120ATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
16.5A
Макс. рассеиваемая мощность:
125W
SGD02N120BUMA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 6.2A 62Вт TO252-3
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"