Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (681)
IRGP35B60PDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 308 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 308 Вт Переключаемая энергия: 220 мкДж
Наличие:
241 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 697,24
IRGP4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 48 А Импульсный ток коллектора макс.: 72 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 115 мкДж
Наличие:
298 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 162,75
IRGP4063PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 96 А Импульсный ток коллектора макс.: 144 А Макс. рассеиваемая мощность: 330 Вт Переключаемая энергия: 625 мкДж
Наличие:
68 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 330,03
IRGP4066D-EPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 140 А, 454 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AD Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 140 А Импульсный ток коллектора макс.: 225 А Макс. рассеиваемая мощность: 454 Вт Переключаемая энергия: 2.47 мДж
Наличие:
37 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 902,09
IRGP4068D-EPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AD Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 96A Макс. рассеиваемая мощность: 330W Переключаемая энергия: 1.28 мДж
Наличие:
1 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 330,94
IRGP4068DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 96A Переключаемая энергия: 1.28 мДж
Наличие:
277 шт

Под заказ:
410 шт
Цена от:
от 387,76
IRGP4069DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 76 А Импульсный ток коллектора макс.: 105 А Макс. рассеиваемая мощность: 268 Вт Переключаемая энергия: 390 мкДж
Наличие:
88 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 889,80
IRGP4263DPBF Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 90 А, 325 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 90 А Импульсный ток коллектора макс.: 192 А Макс. рассеиваемая мощность: 325 Вт Переключаемая энергия: 2.9 мДж
Наличие:
1 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 525,79
IRGP4640DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 65 А, 250 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 65 А Импульсный ток коллектора макс.: 72 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 115 мкДж
Наличие:
154 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 569,45
IRGP4650DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 76 А Импульсный ток коллектора макс.: 105 А Макс. рассеиваемая мощность: 268 Вт Переключаемая энергия: 390 мкДж
Наличие:
73 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 749,06
IRGP4660DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 330 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 100 А Импульсный ток коллектора макс.: 144 А Макс. рассеиваемая мощность: 330 Вт Переключаемая энергия: 625 мкДж
Наличие:
36 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 482,40
IRGP4790DPBF Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 455 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650V
Наличие:
79 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 863,86
IRGPS4067DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 240 А, 750 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Super-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 240 А Импульсный ток коллектора макс.: 360 А Макс. рассеиваемая мощность: 750 Вт Переключаемая энергия: 5.75 мДж
Наличие:
21 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 1 668,65
IRGPS46160DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 240 А, 750 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Super-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 240 А Импульсный ток коллектора макс.: 360 А Макс. рассеиваемая мощность: 750 Вт Переключаемая энергия: 5.75 мДж
Наличие:
67 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2 091,01
IRGS14C40LTRLP Биполярный транзистор IGBT, 400 В, 14 А, 125 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263)
Наличие:
7 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 473,19
IRGS4056DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 140 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 24 А Импульсный ток коллектора макс.: 48 А Макс. рассеиваемая мощность: 140 Вт Переключаемая энергия: 75 мкДж
Наличие:
40 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 236,94
IRGS4607DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 58 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 11 А Импульсный ток коллектора макс.: 12 А Макс. рассеиваемая мощность: 58 Вт Переключаемая энергия: 140 мкДж
Наличие:
4 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 49,60
IRGS4620DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 32 А, 140 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 32 А Импульсный ток коллектора макс.: 36 А Макс. рассеиваемая мощность: 140 Вт Переключаемая энергия: 75 мкДж
Наличие:
99 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 259,31
RJH3047DPK Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 330V Макс. ток коллектора: 50A
Наличие:
48 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 274,19
RJH60F5DPQ Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 260W
Наличие:
0 шт

Под заказ:
100 шт
Цена от:
от 723,02
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"