Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (16)
IGW40N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 306W
Наличие:
52 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 625,09
IKW50N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 333W
Наличие:
583 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 367,51
IKW50N65H5FKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 80A 305Вт PG-TO247-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650V Макс. ток коллектора: 80A Импульсный ток коллектора макс.: 150A Макс. рассеиваемая мощность: 305W Переключаемая энергия: 520 µJ (on), 180 µJ (off)
Наличие:
35 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 306,00
RJH60F5DPQ Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 260W
Наличие:
0 шт

Под заказ:
100 шт
Цена от:
от 725,85
STGWA40M120DF3 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 80A 468Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 80A Импульсный ток коллектора макс.: 160A Макс. рассеиваемая мощность: 468W Переключаемая энергия: 1.03mJ (on), 480 µJ (off)
Наличие:
24 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 759,11
AIKW50N65DF5 Биполярный транзистор IGBT, 650В 80А 270Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 270W
FGH80N60FDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Импульсный ток коллектора макс.: 160A Макс. рассеиваемая мощность: 290W Переключаемая энергия: 1mJ (on), 520 µJ (off)
IHW40N65R5XKSA1 IGBT 650V 80A 230W TO247 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650V Макс. ток коллектора: 80A Импульсный ток коллектора макс.: 120A Макс. рассеиваемая мощность: 230W Переключаемая энергия: 630 µJ (on), 140 µJ (off)
IKW50N65H5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650V Макс. ток коллектора: 80A Импульсный ток коллектора макс.: 150A Макс. рассеиваемая мощность: 305W Переключаемая энергия: 520 µJ (on), 180 µJ (off)
IKW75N60H3FKSA1 IGBT 600V 80A 428W TO247-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Импульсный ток коллектора макс.: 225A Макс. рассеиваемая мощность: 428W Переключаемая энергия: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
IXBT42N170 IGBT 1700V 80A 360W TO268 Производитель: Littelfuse Корпус: TO-268 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1700V Макс. ток коллектора: 80A Импульсный ток коллектора макс.: 300A Макс. рассеиваемая мощность: 360W
NGTB40N120IHRWG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 384 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 384W Переключаемая энергия: 950 мкДж
STGW40H60DLFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 283W Переключаемая энергия: 363 мкДж
Акция STGW40V60DLF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 283W Переключаемая энергия: 411 мкДж
STGW60H60DLFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Макс. рассеиваемая мощность: 375W Переключаемая энергия: 626 мкДж
STGW60V60F IGBT 600V 80A 375W TO247 Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 80A Импульсный ток коллектора макс.: 240A Макс. рассеиваемая мощность: 375W Переключаемая энергия: 750 µJ (on), 550 µJ (off)
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"