Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (10)
IHW30N160R2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1600V Макс. ток коллектора: 30A Макс. рассеиваемая мощность: 310W
Наличие:
17 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2 165,99
Новинка STGF15H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 30 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 30A Импульсный ток коллектора макс.: 60A Макс. рассеиваемая мощность: 30W Переключаемая энергия: 136 µJ (on), 207 µJ (off)
Наличие:
192 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 97,93
Акция GT30G122 Биполярный транзистор IGBT, 400 В, 30 А Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220SIS (SC-67) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 400V Макс. ток коллектора: 30A
IGW15N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 30A Макс. рассеиваемая мощность: 217W
IKP15N65H5XKSA1 IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650V Макс. ток коллектора: 30A Импульсный ток коллектора макс.: 45A Макс. рассеиваемая мощность: 105W Переключаемая энергия: 120 µJ (on), 50 µJ (off)
IKW15T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 30A Макс. рассеиваемая мощность: 110W
IRG4PH40KPBF IGBT 1200V 30A 160W TO247AC Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 30A Импульсный ток коллектора макс.: 60A Макс. рассеиваемая мощность: 160W Переключаемая энергия: 730 µJ (on), 1.66mJ (off)
Акция NGTB30N120IHSWG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 30A Переключаемая энергия: 1 мДж
Акция RJH30H1DPP Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 360V Макс. ток коллектора: 30A Макс. рассеиваемая мощность: 40W
RJP30H1DPD Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 360V Макс. ток коллектора: 30A Макс. рассеиваемая мощность: 40W
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"