Одиночные IGBT транзисторы

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (16)
IRGP50B60PD1PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 390 Вт Переключаемая энергия: 255 мкДж
Наличие:
105 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2 208,52
IGW60T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 375 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 100 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 375 Вт Переключаемая энергия: 9.5 мДж
Наличие:
52 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 526,08
IRG7PH50UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 140 А, 556 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 140 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 556 Вт Переключаемая энергия: 3.6 мДж
Наличие:
4 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 845,89
STGW20NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 200 Вт, 30 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 220 мкДж
Наличие:
85 шт

Под заказ:
20 шт
Цена от:
от 310,72
STGW30NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 200 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 305 мкДж
Наличие:
68 шт

Под заказ:
207 шт
Цена от:
от 292,93
AUIRGP50B60PD1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 390 Вт Переключаемая энергия: 255 мкДж
AUIRGP50B60PD1E Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 390 Вт Переключаемая энергия: 255 мкДж
FGH50T65UPD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 100 А, 340 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 100 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 340 Вт Переключаемая энергия: 2.7 мДж
IGW50N65F5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 305 Вт Переключаемая энергия: 490 мкДж
IGW50N65H5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 305 Вт Переключаемая энергия: 520 мкДж
IKW50N65F5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 305 Вт Переключаемая энергия: 490 мкДж
IRGP50B60PDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 370 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 75 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 370 Вт Переключаемая энергия: 360 мкДж
SGL50N60RUFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 1.68 мДж
Акция SGW50N60HS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 416 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 100 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 416 Вт Переключаемая энергия: 1.96 мДж
Акция STGP30NC60W Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 305 мкДж
STGW35HF60WDA Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 35 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 290 мкДж
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
90 шт
Цена от:
от 627,62
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"