8 800 1000 321 - контакт центр
  • IRGP50B60PD1PBF

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
Infineon Technologies

Описание

IGBT 600V 75A 390W TO247AC

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт

Документация

DataSheet
Код товара: 112442
Дата обновления: 23.09.2018 19:00
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 50 шт: 316.210 руб.
от 25 шт: 323.870 руб.
от 12 шт: 334.660 руб.
от 6 шт: 353.090 руб.
от 1 шт: 377.450 руб.
707 шт 1 день1 шт.1 шт.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 255 шт: 337.718 руб.
от 51 шт: 343.858 руб.
от 13 шт: 353.068 руб.
от 10 шт: 368.417 руб.
516 шт.3 дн.1 шт.10 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
TO-247-3
Нормоупаковка
25 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Вес нетто
8.5 г
Макс. напр. коллектор-эмиттер
600 В
Макс. ток коллектора
75 А
Импульсный ток коллектора макс.
150 А
Напр. насыщения К-Э макс.
2.85 В
Макс. рассеиваемая мощность
390 Вт
Переключаемая энергия
255 мкДж
Заряд затвора
205 нКл
Время задержки вкл./выкл.
30 нс/130 нс
Время обратного восстановления
42 нс

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
56 шт.
Интернет-магазин
1223 шт.

Подробное описание

Транзистор IRGP50B60PD – 600-вольтовый NPT IGBT со встроенным антипараллельным 25-амперным HEXFRED® диодом. Транзистор входит в семейство WARP2™ транзисторов, предназначенных для работы на частотах до 150 кГц в импульсных источниках питания с выходной мощностью 1-12 кВт. Встроенный диод обеспечивает возможность работы с гораздо более высокими токами обратного восстановления.

Типовыми приложениями для IGBT-транзистора являются мощные корректоры коэффициента мощности, источники бесперебойного питания с мостовой схемой первичной цепи, промышленные импульсные источники питания и инверторные сварочные аппараты. Для реализации мощных AC-DC преобразователей с высокой плотностью энергии, применяемых в серверах и источниках питания телекоммуникационного оборудования, требуются высокоэффективные и надежные силовые ключевые приборы. WARP2 IGBT наиболее полно отвечают этим требованиям благодаря низким потерям при выключении и очень короткому времени спада при выключении (так называемый «хвост»), что обеспечивает более высокую эффективность в сравнении с конкурентными приборами.

Благодаря втрое меньшей толщине кристалла и более чем вдвое более высокой удельной плотности тока WARP2 IGBT обеспечивают гораздо более высокий ток и лучшие тепловые характеристики при равной с мощными полевыми транзисторами площади кристалла. При этом они, как и мощные МОП-транзисторы, обладают одной из важных положительных особенностей - самовыравниванию токов в транзисторах при параллельном соединении благодаря положительному тепловому коэффициенту сопротивления канала. 600-вольтовый транзистор в корпусе ТО-247 нормирован на токи коллектора 75 и 45 А соответственно (при 25 и 100°C) и токи диода 65 и 25 А (при тех же температурах). Падение на открытом транзисторе не превышает 2 В при токе коллектора 33 А. IGBT транзистор является отличной альтернативой 50-60 А МОП-транзисторам по критерию качество/цена.

Характеристики

Структураn-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A75
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.6
Управляющее напряжение,В5.5
Мощность макс.,Вт390
Крутизна характеристики, S41
Температурный диапазон,С-55…150
Дополнительные опции-
Корпусto-247ac

C этим товаром покупают:

Конденсаторы
IRGP50B60PD1PBF - TO-247-3
Цена от
58.58 руб.
Индуктивные компоненты
RM10 clip скоба
Цена от
6.10 руб.
Транзисторы
SS8050CBU
Цена от
2.50 руб.

Поделиться:
сообщение об ошибке