Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

357
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (357)
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 30A 105Вт PG-TO220-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650V
Макс. ток коллектора:
30A
Импульсный ток коллектора макс.:
45A
Макс. рассеиваемая мощность:
105W
Переключаемая энергия:
120 µJ (on), 50 µJ (off)
IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
40A
Макс. рассеиваемая мощность:
170W
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 Транзистор: IGBT, 600В, 20А, 166Вт, TO220-3
Производитель:
Infineon Technologies
IKP30N65F5XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 55A 188Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
360 мкДж
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 40A TO-247-3
Производитель:
Infineon Technologies
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 500 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
IKQ75N120CS6XKSA1 IKQ75N120CS6XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3-46
IKW08T120FKSA1 IKW08T120FKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором низкая потеря встроенный диод 1200В 8А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
8A
IKW15T120FKSA1 IKW15T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
30A
Макс. рассеиваемая мощность:
110W
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 Транзистор: IGBT, 600В, 20А, 85Вт, TO247-3
Производитель:
Infineon Technologies
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
360 мкДж
IKW40T120FKSA1 IKW40T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
IKW50N60H3 IKW50N60H3
Производитель:
Infineon Technologies
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 80A 2750Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
IKW50N65ES5 IKW50N65ES5 Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) Trenchstop 5 IGBT
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
305 Вт
Переключаемая энергия:
490 мкДж
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
150A
Макс. рассеиваемая мощность:
305W
Переключаемая энергия:
520 µJ (on), 180 µJ (off)
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 80A 282Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 80A 428Вт TO247-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
225A
Макс. рассеиваемая мощность:
428W
Переключаемая энергия:
3mJ (on), 1.7mJ (off)
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"