IKW40N65F5FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Цена от:
362,72 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание IKW40N65F5FKSA1
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 650 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.6 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 74 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 255000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Packaging | Tube |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | TO-247 |
| Standard Package Name | TO-247 |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 20.95 |
| Package Length | 15.9 |
| Package Width | 5.03 |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IKW40N65F5FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2175 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара