IKW40N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IKW40N65F5FKSA1
Документы:
Описание IKW40N65F5FKSA1
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 650 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.6 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 74 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 255000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Packaging | Tube |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | TO-247 |
| Standard Package Name | TO-247 |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 20.95 |
| Package Length | 15.9 |
| Package Width | 5.03 |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 7.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара