Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

358
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (358)
IHW40N135R5XKSA1 IHW40N135R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Наличие:
104 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 343,35
-5% Акция
IRG4PC40FPBF IRG4PC40FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 49 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
49 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
370 мкДж
Наличие:
104 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 491,41
IRGB4062DPBF IRGB4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
48 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
Наличие:
103 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 348,10
IRGP4063PBF IRGP4063PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
96 А
Импульсный ток коллектора макс.:
144 А
Макс. рассеиваемая мощность:
330 Вт
Переключаемая энергия:
625 мкДж
Наличие:
101 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 308,85
IRG4BC40SPBF IRG4BC40SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 316,71
IRG4PSC71UPBF IRG4PSC71UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 350 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO274AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
85 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
350 Вт
Переключаемая энергия:
420 мкДж
Наличие:
94 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 704,81
IKW75N65ES5 IKW75N65ES5 Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) Trenchstop 5 IGBT
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Наличие:
90 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 226,16
-5% Акция
IRG7PH35UPBF IRG7PH35UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 55 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
55 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
210 Вт
Переключаемая энергия:
1.06 мДж
Наличие:
85 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 450,81
IKW30N60DTPXKSA1 IKW30N60DTPXKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3-46
Наличие:
84 шт

Внешние склады:
256 шт
Цена от:
от 319,35
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Наличие:
80 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 447,42
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Наличие:
80 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 397,94
-5% Акция
IRGB15B60KDPBF IRGB15B60KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 208 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
31 А
Импульсный ток коллектора макс.:
62 А
Макс. рассеиваемая мощность:
208 Вт
Переключаемая энергия:
220 мкДж
Наличие:
71 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 335,12
IRGP4790DPBF IRGP4790DPBF Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 455 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650V
Наличие:
70 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 883,84
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
306W
Наличие:
68 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 372,58
IRG4BC30FD-STRR IRG4BC30FD-STRR Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Наличие:
60 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 302,49
Акция
IRG4BC30KDPBF IRG4BC30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
28 А
Импульсный ток коллектора макс.:
56 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
600 мкДж
Наличие:
60 шт

Внешние склады:
770 шт
Цена от:
от 194,19
IRG4BC30FDPBF IRG4BC30FDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
31 А
Импульсный ток коллектора макс.:
124 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
630 мкДж
Наличие:
57 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 513,40
IRGP20B120UD-EP IRGP20B120UD-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 300 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
300 Вт
Переключаемая энергия:
850 мкДж
Наличие:
51 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1 013,85
Акция
IKP40N65H5XKSA1 IKP40N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
49 шт

Внешние склады:
120 шт
Цена от:
от 339,20
IRGP4068D-EPBF IRGP4068D-EPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
96A
Макс. рассеиваемая мощность:
330W
Переключаемая энергия:
1.28 мДж
Наличие:
48 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 723,76
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"