8 800 1000 321 - контакт центр
  • IRG7PH35UPBF - TO-247

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
Infineon Technologies

Описание

IGBT N-CH 1200V 55A 210000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 55 А

Документация

DataSheet
Код товара: 145621
Цена и наличие товара актуальны на:
19.09.2019 03:00
Цена за 1шт: 275.07 руб.
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника. Поставка со склада
от 50 шт: 214.090 руб.
от 25 шт: 222.550 руб.
от 13 шт: 234.430 руб.
от 7 шт: 254.740 руб.
от 1 шт: 275.070 руб.
15 штНа складе1 шт.2 шт.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады. Поставка под заказ
от 19 шт: 220.016 руб.
от 10 шт: 225.705 руб.
52 шт.7 раб. дн.1 шт.10 шт.
Количество:
Стоимость:

Техническая информация

Корпус
TO-247(TO-247AC)
Нормоупаковка
25 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Вес нетто
8.5 г
Макс. напр. коллектор-эмиттер
1200 В
Макс. ток коллектора
55 А
Импульсный ток коллектора макс.
60 А
Макс. рассеиваемая мощность
210 Вт
Переключаемая энергия
1.06 мДж

Наличие

Екатеринбург, ул. Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
67 шт.

Подробное описание

Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники.

Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF, IRG7PH46UPBF и также аналогичные приборы со встроенным диодом с малым временем восстановления. Новое семейство сверхбыстрых 1200 В транзисторов разработано на основе Trench технологии с плоской подложкой Field-Stop, которая позволяет значительно сократить потери на переключение и проводимость для повышения плотности мощности и эффективности работы на высоких частотах. Транзисторы также оптимизированы для применений, не требующих защиты от короткого замыкания, таких как UPS, солнечные инвертеры, сварочное оборудование, и дополняют линейку продукции IR для управления приводами со стойкостью к воздействию тока короткого замыкания в течение 10 мс.

Линейка транзисторов охватывает диапазон токов 20-40 А для корпусированных приборов и до 150 А для кристаллов. Ключевыми преимуществами IGBT является квадратная область безопасной работы (RBSOA), положительный температурный коэффициент напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCEon), малое напряжение насыщения VCEon для уменьшения мощности рассеивания и повышения плотности энергии.

Характеристики

Структураn-канал
Максимальное напряжение кэ ,В1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A55
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.2
Управляющее напряжение,В6
Мощность макс.,Вт210
Крутизна характеристики, S-
Температурный диапазон,С-55…175
Корпусto247ac

C этим товаром покупают:

Оптоэлектроника
TLP627(F)
Цена от
13.13 руб.
Диоды и тиристоры
S3M
Цена от
4.40 руб.
Диоды и тиристоры
VS-26MT120
Цена от
422.24 руб.
Транзисторы
IRFP23N50LPBF
Цена от
196.56 руб.

Поделиться:
сообщение об ошибке