Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

358
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (358)
-5% Акция
IRGB4607DPBF IRGB4607DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 58 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
12 А
Макс. рассеиваемая мощность:
58 Вт
Переключаемая энергия:
140 мкДж
Наличие:
8 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 39,85
IRG4PSH71UDPBF IRG4PSH71UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 99 А, 350 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Super-247 (TO-274AA)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
99 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
350 Вт
Переключаемая энергия:
8.8 мДж
Наличие:
6 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1 050,37
IGW40T120FKSA1 IGW40T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
75A
Макс. рассеиваемая мощность:
270W
Наличие:
4 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 771,06
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
333W
Наличие:
2 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 371,94
Акция
IRGP4066D-EPBF IRGP4066D-EPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 140 А, 454 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
140 А
Импульсный ток коллектора макс.:
225 А
Макс. рассеиваемая мощность:
454 Вт
Переключаемая энергия:
2.47 мДж
Наличие:
1 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1 824,86
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 24A 110Вт 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
78 шт
Цена от:
от 140,69
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 187 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
187W
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
98 шт
Цена от:
от 417,23
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 80A TO247-3
Производитель:
Infineon Technologies
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
180 шт
Цена от:
от 271,88
AIKP20N60CTAKSA1 Транзистор IGBT, 600В, 20А, 156Вт, TO220-3
Производитель:
Infineon Technologies
AIKW50N65DF5 AIKW50N65DF5 Биполярный транзистор IGBT, 650В 80А 270Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
270W
AIKW75N60CTXKSA1 AIKW75N60CTXKSA1 IGBT, 600V, 80A, 175DEG C, 428W;
Производитель:
Infineon Technologies
AUIRG4BC30S-S AUIRG4BC30S-S Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 34A 100Вт D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
34A
Импульсный ток коллектора макс.:
68A
Макс. рассеиваемая мощность:
100W
Переключаемая энергия:
260 µJ (on), 3.45mJ (off)
AUIRGDC0250 AUIRGDC0250 IGBT 1200V 141A 543W TO-220
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SUPER-220[тм] (TO-273AA)
AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 308 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
AUIRGP35B60PD-E AUIRGP35B60PD-E Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 308 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
AUIRGP4062D AUIRGP4062D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
48A
Макс. рассеиваемая мощность:
250W
AUIRGP4063D AUIRGP4063D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
144 А
Макс. рассеиваемая мощность:
330 Вт
Переключаемая энергия:
625 мкДж
-5% Акция
AUIRGP4063D-E AUIRGP4063D-E Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
AUIRGP50B60PD1 AUIRGP50B60PD1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
390 Вт
Переключаемая энергия:
255 мкДж
AUIRGP50B60PD1E AUIRGP50B60PD1E Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
390 Вт
Переключаемая энергия:
255 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"