Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor
156
Производитель:
ON Semiconductor
FGH40T65UPD
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 268 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH50N3
Биполярный транзистор IGBT, 300 В, 75 А, 463 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH50N6S2D
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 463 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH50T65UPD
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 100 А, 340 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH60N60SFTU
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 378 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH60N60UFDTU
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH60T65SQD-F155
IGBT, SINGLE, 650V, 120A, TO-247; DC Collector Current:120A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:333W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pin
Производитель:
ON Semiconductor
FGH75N60UFTU
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 452 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH75T65SHDT-F155
Bipolar transistors with insulated gate (IGBT) 650V FS3 Trench IGBT
Производитель:
ON Semiconductor
FGH75T65SQD-F155
IGBT, SINGLE, N-CH, 650V, 150A, TO-247-3; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No
Производитель:
ON Semiconductor
FGH75T65SQDT-F155
FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V/150A, TO247; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No
Производитель:
ON Semiconductor
FGH75T65UPD
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 150 А, 375 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH80N60FDTU
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Сообщите мне о поступлении товара
