Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics

173
Производитель: ST Microelectronics
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (173)
STGW60H65DFB-4 STGW60H65DFB-4 IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-247; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
180 шт
Цена от:
от 659,71
STGW80V60DF STGW80V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 469 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
469 Вт
Переключаемая энергия:
1.8 мДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 343,41
STGWA100H65DFB2 STGWA100H65DFB2 STGWA100H65DFB2, IGBT
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
240 шт
Цена от:
от 433,44
Новинка
STGWA20H65DFB2 STGWA20H65DFB2 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 40A 147Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
420 шт
Цена от:
от 245,51
STGWA30HP65FB2 STGWA30HP65FB2 Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
360 шт
Цена от:
от 290,16
STGWA40H65DFB STGWA40H65DFB Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
990 шт
Цена от:
от 105,06
STGWA50HP65FB2 STGWA50HP65FB2 IGBT, 650V, 86A, 272W, TO-247LL;
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 172,77
STGWA60H65DFB STGWA60H65DFB TRANSISTOR, IGBT, 650V, 80A, TO-247LL;
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
480 шт
Цена от:
от 217,67
STGWA80H65DFB 469W 650V TO-247 Single IGBTs RoHS
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
540 шт
Цена от:
от 188,78
STGWA8M120DF3 STGWA8M120DF3 IGBT, SINGLE, 1.2KV, 16A, TO-247-3; DC Collector Current:16A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:167W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247; No. of
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
360 шт
Цена от:
от 294,69
STGWT20H65FB STGWT20H65FB IGBT, SINGLE, 650V, 40A, TO-3P; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.55V; Power Dissipation Pd:168W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
330 шт
Цена от:
от 330,70
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB IGBT, 650V, 80A, 175°C, 283W; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:283W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
420 шт
Цена от:
от 247,67
Акция
STGB10NB37LZ STGB10NB37LZ Биполярный транзистор IGBT, 375 В, 20 А, 125 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
STGB14NC60KDT4 STGB14NC60KDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 14 А, 80 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
25 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
80 Вт
Переключаемая энергия:
82 мкДж
STGB15H60DF STGB15H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 115 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 40A 130Вт D2PAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
40A
Импульсный ток коллектора макс.:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
130W
Переключаемая энергия:
85 µJ (on), 189 µJ (off)
STGB20H60DF STGB20H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 167 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
209 мкДж
STGB20M65DF2 STGB20M65DF2 Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Производитель:
ST Microelectronics
STGB20N40LZ STGB20N40LZ Биполярный транзистор IGBT, 390 В, 25 А, 150 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-263 (DВІPak)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
390 В
Макс. ток коллектора:
25 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
150 Вт
Акция
STGB20NB37LZT4 STGB20NB37LZT4 Биполярный транзистор IGBT, 425 В, 40 А, 200 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"