Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (130)
STGW80V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 469 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 469 Вт Переключаемая энергия: 1.8 мДж
Новинка STGWA20H65DFB2 IGBT N-CH 650V 40A 147000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Производитель: ST Microelectronics
STGWA40H120F2 IGBT 40A (@100C) 1200V, TRENCH G Производитель: ST Microelectronics
Акция STGWT20H60DF Биполярный транзистор IGBT, 20 А, 167 Вт, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 40 А Импульсный ток коллектора макс.: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 167 Вт Переключаемая энергия: 209 мкДж
STGWT30H60DFB IGBT N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3PBL Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 60A Импульсный ток коллектора макс.: 120A Макс. рассеиваемая мощность: 260W Переключаемая энергия: 383 µJ (on), 293 µJ (off)
STGWT40H60DLFB Биполярный транзистор IGBT, 40 А, 283 Вт, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 40A Переключаемая энергия: 363 мкДж
STGWT40H65DFB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 283 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 283 Вт Переключаемая энергия: 498 мкДж
STGWT80H65DFB Биполярный транзистор IGBT, 80А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 469 Вт Переключаемая энергия: 2.1 мДж
STGY40NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 260 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: MAX247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Макс. рассеиваемая мощность: 260 Вт Переключаемая энергия: 330 мкДж
Акция STGY50NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 278 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: MAX247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 110 А Импульсный ток коллектора макс.: 180 А Макс. рассеиваемая мощность: 278 Вт Переключаемая энергия: 365 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"