IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,92
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
GD150HFY120C1S
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
54 шт
Цена от:
от 3 899,96
GD150HFY120C2S GD150HFY120C2S IGBT MODULE, 1.2KV, 291A;
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 214 шт
Цена от:
от 4 095,34
GD200HFU120C2S GD200HFU120C2S Модуль IGBT 1200В 262А
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
262А
Наличие:
5 шт

Внешние склады:
1 355 шт
Цена от:
от 4 170,20
-6% Акция
GD200HFX170C2S GD200HFX170C2S Модуль IGBT 1700В 337A
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Напряжение коллектор-эмиттер:
1700В
Ток коллектора:
337А
Наличие:
1 шт

Внешние склады:
1 219 шт
Цена от:
от 6 818,97
GD200HFX65C2S GD200HFX65C2S Модуль IGBT 650В 247A
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Напряжение коллектор-эмиттер:
650В
Ток коллектора:
247А
Наличие:
10 шт

Внешние склады:
229 шт
Цена от:
от 1 686,57
GD200HFY120C2S GD200HFY120C2S Модуль IGBT 1200В 200A
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
200А
Наличие:
17 шт

Внешние склады:
96 шт
Цена от:
от 4 240,16
GD20FSX65L4S
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 200 шт
Цена от:
от 3 133,07
GD225HFX170C6S
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 6 738,01
GD25FFK120C5SP GD25FFK120C5SP Модуль IGBT 1200В 25А
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
25А
Наличие:
4 шт

Внешние склады:
165 шт
Цена от:
от 2 632,24
Новинка
GD25PIY120C5S GD25PIY120C5S Модуль IGBT 1200В 25A
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
10 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 5 189,04
GD300CEY120C2S
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 200 шт
Цена от:
от 11 634,07
GD300FFX65P3S
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 200 шт
Цена от:
от 18 192,58
Акция
GD300HFU120C2S GD300HFU120C2S Модуль IGBT 1200В 395А
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
395А
Наличие:
2 шт

Внешние склады:
1 237 шт
Цена от:
от 7 173,57
GD300HFX120C2S Модуль IGBT 1200В 300А
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
43 шт
Цена от:
от 6 646,41
Акция
GD300HFX170C2S GD300HFX170C2S IGBT модуль 1700B 300А 2 in one-package 62мм
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Напряжение коллектор-эмиттер:
1700В
Ток коллектора:
493А
Наличие:
2 шт

Внешние склады:
1 202 шт
Аналоги:
15 шт
Цена от:
от 6 703,96
Акция
GD300HFX170C6S GD300HFX170C6S IGBT модуль 1700B 300А 2 in one-package
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Напряжение коллектор-эмиттер:
1700В
Ток коллектора:
300А
Наличие:
3 шт

Внешние склады:
209 шт
Цена от:
от 5 762,06
GD300HFY120C2S GD300HFY120C2S Модуль IGBT 1200В 600A, 150°C 2.941кВт
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
600А
Наличие:
12 шт

Внешние склады:
1 216 шт
Цена от:
от 9 292,68
-6% Акция
GD300HFY120C6S GD300HFY120C6S IGBT модуль 1200B 300А 2 in one-package
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
300А
Наличие:
2 шт

Внешние склады:
272 шт
Аналоги:
5 661 шт
Цена от:
от 4 330,78
GD400FFX65P3H
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 200 шт
Цена от:
от 18 798,30
Акция
GD400HFU120C2S GD400HFU120C2S Модуль IGBT 1200В 400A
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
400А
Наличие:
2 шт

Внешние склады:
209 шт
Цена от:
от 5 267,21
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"