IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,92
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
GD400HFX170C2S GD400HFX170C2S Модуль IGBT 1700В 648A
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Напряжение коллектор-эмиттер:
1700В
Ток коллектора:
648А
Наличие:
2 шт

Внешние склады:
1 200 шт
Цена от:
от 15 226,63
GD400HFX170C6S
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 200 шт
Цена от:
от 15 519,04
GD400HFY120C2S GD400HFY120C2S Модуль силовой IGBT полумостовой 1200В, 400А, +175°C
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
630А
Наличие:
13 шт

Внешние склады:
1 286 шт
Цена от:
от 11 387,52
GD40PIX120C5S
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 200 шт
Цена от:
от 4 240,08
GD40PIY120C5S GD40PIY120C5S Модуль силовой IGBT 1200В, 72А
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
2 шт

Внешние склады:
1 202 шт
Цена от:
от 3 849,38
GD450HFX120C2S
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 200 шт
Цена от:
от 12 093,58
GD450HFX120C2SA
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 200 шт
Цена от:
от 12 678,42
-6% Акция
GD450HFX170C6S GD450HFX170C6S IGBT модуль 1700B 450А 2 in one-package
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Напряжение коллектор-эмиттер:
1700В
Ток коллектора:
450А
Наличие:
2 шт

Внешние склады:
115 шт
Аналоги:
4 325 шт
Цена от:
от 5 865,04
GD450HFY120C2S GD450HFY120C2S Модуль IGBT 1200В 450A, 175°C 2173Вт
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
450А
Наличие:
8 шт

Внешние склады:
491 шт
Цена от:
от 7 411,73
GD50MLX65F1S
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 200 шт
Цена от:
от 4 783,14
GD50PIX120C6S
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 200 шт
Цена от:
от 7 164,26
GD50PIY120C6S GD50PIY120C6S Модуль IGBT 1200В 50A
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
50А
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 200 шт
Цена от:
от 7 435,79
GD50TUX65F1S
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 200 шт
Цена от:
от 3 571,70
GD600HFX170C6S GD600HFX170C6S IGBT модуль 1700B 600А 2 in one-package
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
2 шт

Внешние склады:
1 381 шт
Аналоги:
300 шт
Цена от:
от 12 415,31
GD600HFX65C6S GD600HFX65C6S IGBT MODULE, 650V, 700A;
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 202 шт
Цена от:
от 6 883,31
-6% Акция
GD600HFY120C2S GD600HFY120C2S IGBT модуль 1200B 600А
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
600А
Наличие:
1 шт

Внешние склады:
95 шт
Цена от:
от 6 969,63
GD600HFY120C6S GD600HFY120C6S IGBT модуль 1200B 600А 2 in one-package
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
600А
Наличие:
12 шт

Внешние склады:
40 шт
Цена от:
от 9 618,15
GD600SGX170C2S
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
19 шт
Цена от:
от 12 185,85
GD600SGY120C2S GD600SGY120C2S Модуль силовой IGBT 1200В 600А
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
9 шт

Внешние склады:
1 200 шт
Цена от:
от 11 643,60
GD650HFX170P1S Модуль силовой IGBT 1700В/650A
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
27 шт
Цена от:
от 30 458,32
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"