IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,48
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
PM 75CVA120 Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Mitsubishi Electric
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
38 шт
Цена от:
от 7 569,46
PM100CLS120 PM100CLS120 Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Mitsubishi Electric
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 шт
Цена от:
от 9 910,73
PM75CL1B120#350G
Производитель:
Mitsubishi Electric
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 шт
Цена от:
от 36 815,69
PS12034 Модуль силовой IGBT трехфазный 1200В 10А
Производитель:
Mitsubishi Electric
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
24 шт
Цена от:
от 3 577,51
RJH60F5DPQ RJH60F5DPQ Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
260W
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
100 шт
Аналоги:
2 223 шт
Цена от:
от 718,63
SEMiX453GB12E4p IGBT модуль 1200В, 450A, econo dual 3
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
450А
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
100 шт
Аналоги:
5 835 шт
Цена от:
от 0,00
SGL160N60UFDTU SGL160N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 160 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
160 А
Импульсный ток коллектора макс.:
300 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
2.5 мДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
412 шт
Цена от:
от 787,94
SGM100HF12A1TFD
Производитель:
Silan Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 2 418,62
SGM35PA12A6BTFD
Производитель:
Silan Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
8 шт
Цена от:
от 1 156,21
SGM50HF12A1TFD
Производитель:
Silan Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 1 687,90
SGT40N60FD2P7
Производитель:
Silan Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
244 шт
Цена от:
от 130,43
SGT40N60FD2PN TO-3P-3 IGBTs ROHS
Производитель:
Silan Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
223 шт
Цена от:
от 105,46
SGT40N60NPFDPN TO-3P-3 IGBTs ROHS
Производитель:
Silan Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
360 шт
Цена от:
от 111,01
SGT50T65FD1P7 SGT50T65FD1P7 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 50A 235Вт
Производитель:
Silan Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
360 шт
Цена от:
от 95,68
SGT75T65SDM1P7
Производитель:
Silan Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
96 шт
Цена от:
от 240,32
SGTP5T60SD1DTR TO-252-2L IGBTs ROHS
Производитель:
Silan Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 35,80
Акция
SGW25N120 SGW25N120 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 46 А, 313 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
46 А
Импульсный ток коллектора макс.:
84 А
Макс. рассеиваемая мощность:
313 Вт
Переключаемая энергия:
3.7 мДж
Наличие:
9 шт

Внешние склады:
9 шт
Цена от:
от 877,73
SKIIP23NAB126V1 SKIIP23NAB126V1 Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Корпус:
MiniSKiiP® 3
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
41А
Наличие:
15 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 5 585,07
SKIIP23NAB12T4V1 SKIIP23NAB12T4V1 IGBT Module N-CH 1200V 41A 26-Pin
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Корпус:
MiniSKiiP® 3
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
41А
Наличие:
30 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 5 176,46
SKM100GB12T4G SKM100GB12T4G Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Корпус:
SEMITRANS® 3 Case A-13
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
160А
Наличие:
7 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
399 шт
Цена от:
от 3 520,63
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"