IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,48
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
Акция
SKM100GB17E4 SKM100GB17E4 Силовой модуль IGBT N-канальный 1700В 125А
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Корпус:
GB
Напряжение коллектор-эмиттер:
1700В
Ток коллектора:
125А
Наличие:
28 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 4 727,11
SKM150GB12T4G SKM150GB12T4G Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 232А
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Корпус:
SEMITRANS® 3 Case A-13
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
232А
Наличие:
13 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 5 904,67
Новинка
SKM150GB176E4 SKM150GB176E4 Силовой модуль IGBT N-канальный 1700В 100А
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Корпус:
SEMITRANS® 2 Case A-12
Наличие:
14 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6 068,86
Акция
SKM150GB17E4G SKM150GB17E4G Силовой модуль IGBT полумостовой 242А
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Корпус:
SEMITRANS® 3 Case A-13
Наличие:
21 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 5 926,40
SKM300GAL12T4 SKM300GAL12T4 Биполярный транзистор, N-канальный, 1.2 кВ, 422 А
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Корпус:
SEMITRANS® 3 Case A-13
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
422А
Наличие:
30 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 7 951,48
SKM50GB12T4 SKM50GB12T4 Биполярный транзистор IGBT, 840 Вт
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Корпус:
GB
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
81А
Максимальная мощность:
840 Вт
Наличие:
23 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 3 104,85
SKM75GB12T4 SKM75GB12T4 Биполярный транзистор IGBT, 580 Вт
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Корпус:
GB
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
115А
Максимальная мощность:
580 Вт
Наличие:
22 шт

Внешние склады:
40 шт
Цена от:
от 3 394,30
SKM75GB176D SKM75GB176D Биполярный транзистор IGBT, N-канальный, 1.7 кВ, 80 А
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Корпус:
SEMITRANS® 2 (Case D61)
Напряжение коллектор-эмиттер:
1700В
Ток коллектора:
80А
Наличие:
20 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
63 шт
Цена от:
от 4 828,47
STGB10H60DF STGB10H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 115 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
115 Вт
Переключаемая энергия:
83 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 228,44
Акция
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
440 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
125 Вт
Переключаемая энергия:
2.4 мДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 626,46
STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 40A 130Вт D2PAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
40A
Импульсный ток коллектора макс.:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
130W
Переключаемая энергия:
85 µJ (on), 189 µJ (off)
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 190,48
STGB19NC60KDT4 125W -55-~+150-@(Tj) 35A 600V 75A 0.255mJ 0.165mJ D2PAK IGBTs ROHS
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 37,09
STGB20M65DF2 STGB20M65DF2 Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 62,38
STGB20N45LZAG STGB20N45LZAG IGBT 450V INTERN CLAMPED 25A AUTO D2PAK
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 328,14
STGB20NB41LZT4 STGB20NB41LZT4 Биполярный транзистор IGBT, 442 В, 40 А, 200 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
442 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
5 мДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 258,63
STGB30M65DF2 STGB30M65DF2 IGBT, SINGLE, 650V, 60A, TO-263-3; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.55V; Power Dissipation Pd:258W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pi
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 106,67
STGB30V60DF STGB30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 258 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
258 Вт
Переключаемая энергия:
383 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 258,27
STGB3NC120HDT4 STGB3NC120HDT4 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 14A 75Вт 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DВІPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
14A
Импульсный ток коллектора макс.:
20A
Макс. рассеиваемая мощность:
75W
Переключаемая энергия:
236 µJ (on), 290 µJ (off)
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 115,07
STGB40H65FB STGB40H65FB Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 80A 283Вт 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 194,36
STGB40V60F STGB40V60F TRANSISTOR, IGBT, 600V, 80A, TO-263;
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 235,20
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"