IGBT (БТИЗ) транзисторы

₁₈₂₇

Новинки

Новинка

HGTG30N60A4D

Наличие:

1 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от: 266,17 ₽

Новинка

IKW30N65H5XKSA1

Наличие:

46 шт

Под заказ:

165 шт

Цена от: 202,29 ₽

Новинка

STGWA20H65DFB2

Наличие:

0 шт

Под заказ:

420 шт

Цена от: 261,52 ₽

Новинка

DG15X12T2

Наличие:

65 шт

Под заказ:

1 573 шт

Цена от: 103,56 ₽

Новинка

DG15X06T1

Наличие:

222 шт

Под заказ:

865 шт

Цена от: 43,48 ₽

Новинка

DG10X06T1

Наличие:

160 шт

Под заказ:

1 282 шт

Цена от: 82,72 ₽

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

(1827)

STGD10NC60KDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 62 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

20 А

Импульсный ток коллектора макс.:

30 А

Макс. рассеиваемая мощность:

62 Вт

Переключаемая энергия:

55 мкДж

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 242,37₽

STGD20N45LZAG Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Производитель:

ST Microelectronics

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 161,20₽

STGD25N40LZAG IGBT, AEC-Q101, 400V, 25A, TO-252; DC Collector Current:25A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.1V; Power Dissipation Pd:125W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pin

Производитель:

ST Microelectronics

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 133,21₽

STGD3NB60SDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 3 А, 48 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

6 А

Импульсный ток коллектора макс.:

25 А

Макс. рассеиваемая мощность:

48 Вт

Переключаемая энергия:

1.15 мДж

Наличие:

1 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 120,36₽

STGD4M65DF2 IGBT, 650V, 8A, 175°C, 68W;

Производитель:

ST Microelectronics

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 67,08₽

STGD5NB120SZT4 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 10A 75Вт 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200V

Макс. ток коллектора:

10A

Импульсный ток коллектора макс.:

10A

Макс. рассеиваемая мощность:

75W

Переключаемая энергия:

2.59mJ (on), 9mJ (off)

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 102,70₽

STGD6M65DF2 Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

Производитель:

ST Microelectronics

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 747 шт

Цена от:

от 80,43₽

STGF10H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 30 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

20 А

Импульсный ток коллектора макс.:

40 А

Макс. рассеиваемая мощность:

30 Вт

Переключаемая энергия:

83 мкДж

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 111,12₽

STGF10M65DF2 Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 304,92₽

STGF10NB60SD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 25 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

23 А

Импульсный ток коллектора макс.:

80 А

Макс. рассеиваемая мощность:

25 Вт

Переключаемая энергия:

600 мкДж

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 250 шт

Цена от:

от 88,02₽

STGF10NC60KD IGBT 600В/10А/Uкэ нас. 2.2-2.5В/65Вт встроенный диод

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220F

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

950 шт

Цена от:

от 114,76₽

STGF15M65DF2 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 30A 31Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 850 шт

Цена от:

от 58,87₽

STGF20H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 37 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

40 А

Импульсный ток коллектора макс.:

80 А

Макс. рассеиваемая мощность:

37 Вт

Переключаемая энергия:

209 мкДж

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

550 шт

Цена от:

от 194,85₽

STGF30M65DF2 IGBT, 650V, 60A, 175°C, 38W;

Производитель:

ST Microelectronics

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

600 шт

Цена от:

от 188,40₽

-6% Акция

STGF5H60DF Биполярный транзистор IGBT N-канальный 600В 10A 24Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220F

Наличие:

16 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 31,36₽

STGF7NB60SL Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 25 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

15 А

Импульсный ток коллектора макс.:

20 А

Макс. рассеиваемая мощность:

25 Вт

Переключаемая энергия:

4.1 мДж

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 050 шт

Цена от:

от 105,29₽

STGFW40V60DF Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM

Производитель:

ST Microelectronics

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

150 шт

Цена от:

от 735,53₽

STGH30H65DFB-2AG IGBT, 650V, 60A, 260W;

Производитель:

ST Microelectronics

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 241,52₽

STGHU30M65DF2AG IGBT, SINGLE, 650V, 84A, HU3PAK;

Производитель:

ST Microelectronics

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

600 шт

Цена от:

от 341,23₽

STGP10H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 115 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

20 А

Импульсный ток коллектора макс.:

40 А

Макс. рассеиваемая мощность:

115 Вт

Переключаемая энергия:

83 мкДж

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

900 шт

Цена от:

от 120,15₽

Основные производители

Официальный дистрибьютор Все 3795 производителей

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
доставка по территории Российской Федерации;
продажа товаров оптом и в розницу;
помощь в подборе оборудования;
гарантия производителя на все представленные товары;
различные формы оплаты;
приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"