IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,48
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
STGP19NC60HD STGP19NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 130 Вт, 21 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
130 Вт
Переключаемая энергия:
85 мкДж
Наличие:
12 шт

Внешние склады:
939 шт
Цена от:
от 149,61
STGP20V60DF STGP20V60DF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 40A 167Вт TO220AB
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
40A
Импульсный ток коллектора макс.:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
167W
Переключаемая энергия:
200 µJ (on), 130 µJ (off)
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
700 шт
Цена от:
от 158,61
STGP30H60DFB 260W 600V TO-220 Single IGBTs RoHS
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 402,57
STGP5H60DF STGP5H60DF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 10A 88Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 050 шт
Цена от:
от 101,63
STGSB200M65DF2AG STGSB200M65DF2AG IGBT, 650V, 216A, 714W;
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 2 686,49
STGW19NC60HD STGW19NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 21 А, 600 В, 140W
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
42 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
140 Вт
Переключаемая энергия:
85 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 140,55
-6% Акция
STGW20H65FB STGW20H65FB Транзистор биполярный IGBT N-канальный 650В 40A 168Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Наличие:
26 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 262,82
-6% Акция
STGW20V60DF STGW20V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
200 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
360 шт
Цена от:
от 314,41
STGW25H120DF2 STGW25H120DF2 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 25 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
100 А
Макс. рассеиваемая мощность:
375 Вт
Переключаемая энергия:
600 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
270 шт
Цена от:
от 430,25
STGW30H60DFB STGW30H60DFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 260 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
260 Вт
Переключаемая энергия:
383 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
669 шт
Цена от:
от 312,14
STGW30NC120HD STGW30NC120HD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 220 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
220 Вт
Переключаемая энергия:
1.66 мДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
330 шт
Цена от:
от 336,27
STGW30NC60KD STGW30NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
125 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
350 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
420 шт
Цена от:
от 261,94
Акция
STGW38IH130D STGW38IH130D Биполярный транзистор IGBT, 20 КГц, 33 А, 1300 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1300V
Макс. ток коллектора:
33А
Переключаемая энергия:
3.4 мДж
Наличие:
29 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 230,46
STGW40H60DLFB STGW40H60DLFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
283W
Переключаемая энергия:
363 мкДж
Наличие:
20 шт

Внешние склады:
270 шт
Цена от:
от 429,50
STGW40H65DFB STGW40H65DFB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 283 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
283 Вт
Переключаемая энергия:
498 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
630 шт
Цена от:
от 170,90
STGW40H65FB STGW40H65FB TRANSISTOR, IGBT, 650V, 80A, TO-247;
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 589,37
Акция
STGW40V60DF STGW40V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Наличие:
21 шт

Внешние склады:
550 шт
Цена от:
от 330,69
STGW40V60DLF STGW40V60DLF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
283W
Переключаемая энергия:
411 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
270 шт
Цена от:
от 406,33
STGW40V60F STGW40V60F Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
283 Вт
Переключаемая энергия:
456 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
240 шт
Цена от:
от 469,72
STGW60H65DFB-4 STGW60H65DFB-4 IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-247; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:
Производитель:
ST Microelectronics
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
180 шт
Цена от:
от 684,56
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"