IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,48
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
CM600DX-24T#301G
Производитель:
Mitsubishi Electric
CM600DX-24T1 1200V 600A
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
52 шт
Цена от:
от 9 522,95
CM600DX-34T#611G IGBT модуль
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
CM600DX-34T#611G IGBT модуль 1700В 600А
Производитель:
Mitsubishi Electric
CM600DXP-34T IGBT Модуль Half Bridge 1700В 600А
Производитель:
Mitsubishi Electric
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 683 шт
Цена от:
от 8 943,00
CM600DY-12NF CM600DY-12NF Биполярный транзистор IGBT, 600A, 600V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Полумост
Напряжение коллектор-эмиттер:
600В
Ток коллектора:
600А
Максимальная мощность:
1130 Вт
Входная емкость:
90 нФ
Наличие термистора:
нет
CM600DY-24A CM600DY-24A Биполярный транзистор IGBT, 600A, 1200V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Полумост
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
600А
Максимальная мощность:
3670 Вт
Входная емкость:
94 нФ
Наличие термистора:
нет
CM600DY-24T CM600DY-24T Биполярный транзистор IGBT, 600A, 1200V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
CM600DY-34H Модуль IGBT CM600DY-34H MIT
Производитель:
Mitsubishi Electric
CM600HU-12F CM600HU-12F Биполярный транзистор IGBT, 600A, 600V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Однофазный
Напряжение коллектор-эмиттер:
600В
Ток коллектора:
600А
Максимальная мощность:
1420 Вт
Входная емкость:
160 нФ
Наличие термистора:
нет
CM600HU-24F CM600HU-24F Биполярный транзистор IGBT, 600A, 1200V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Однофазный
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
600А
Максимальная мощность:
2400 Вт
Входная емкость:
230 нФ
Наличие термистора:
нет
CM75DY-24H CM75DY-24H Биполярный транзистор IGBT, 75A, 1200V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
CM75DY-34A IGBT MOD DUAL 1700V 75A A SER
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Half Bridge
Напряжение коллектор-эмиттер:
1700В
Ток коллектора:
75А
Максимальная мощность:
780W
Входная емкость:
18.5nF @ 10V
Наличие термистора:
нет
CM75E3U-12H CM75E3U-12H Биполярный транзистор IGBT, 75A, 600V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Однофазный
Напряжение коллектор-эмиттер:
600В
Ток коллектора:
75А
Максимальная мощность:
310 Вт
Входная емкость:
6.6 нФ
Наличие термистора:
нет
CM75RX-24S IGBT MOD 7PAC 1200V 75A NX SER
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Three Phase Inverter with Brake
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
75А
Максимальная мощность:
600W
Входная емкость:
7.5nF @ 10V
Акция
CM75TU-24F CM75TU-24F Биполярный транзистор IGBT, 75A, 1200V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Трехфазный инвертер
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
75А
Максимальная мощность:
450 Вт
Входная емкость:
29 нФ
Наличие термистора:
нет
CM75TX-24S CM75TX-24S Биполярный транзистор IGBT, 1200V, 75A
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
CM75TX-24S IGBT MODULE 6-PAC 75A 1200V
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
Конфигурация:
Three Phase Inverter
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
75А
Максимальная мощность:
600W
Входная емкость:
7.5nF @ 10V
CM800DW-24T
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
CM800DW-34T
Производитель:
Mitsubishi Electric
Корпус:
Module
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"