IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,92
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
FP35R12KT4B11BOSA1 FP35R12KT4B11BOSA1
Производитель:
Infineon Technologies
FP35R12KT4B15BOSA1 FP35R12KT4B15BOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 35A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
ECONO2-1
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
35А
Максимальная мощность:
210 Вт
FP35R12W2T4B11BOMA1 FP35R12W2T4B11BOMA1 IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 54A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:54A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:215W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor
Производитель:
Infineon Technologies
FP35R12W2T4PB11BPSA1 FP35R12W2T4PB11BPSA1 IGBT MOD, SIX N CHANNEL, 1.2KV, 35A; Transistor Polarity:Six N Channel; DC Collector Current:35A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Tran
Производитель:
Infineon Technologies
FP35R12W2T7B11BOMA1 FP35R12W2T7B11BOMA1
Производитель:
Infineon Technologies
FP40R12KE3BOSA1 FP40R12KE3BOSA1 Биполярный транзистор IGBT, N-канальный, 1.2 кВ, 55 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
ECONO3-1
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
55А
FP40R12KE3GBOSA1 FP40R12KE3GBOSA1 Биполярный транзистор IGBT, N-канальный, 1.2 кВ
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
55А
FP50R06KE3BOSA1 FP50R06KE3BOSA1
Производитель:
Infineon Technologies
FP50R06W2E3BOMA1 FP50R06W2E3BOMA1 IGBT, MODULE, N-CH, 600V, 65A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:65A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.45V; Power Dissipation Pd:175W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor C
Производитель:
Infineon Technologies
FP50R12KE3BOSA1 FP50R12KE3BOSA1 IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 75A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:75A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:280W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor
Производитель:
Infineon Technologies
FP50R12KT3 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
ECONO3-1
FP50R12KT3BOSA1 FP50R12KT3BOSA1 IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 50A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:280W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor
Производитель:
Infineon Technologies
FP50R12KT4B11BOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 50A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
ECONO2-1
FP50R12KT4PBPSA1 FP50R12KT4PBPSA1 EconoPIM?2 module withTrench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC/pre-applied Ther
Производитель:
Infineon Technologies
FP75R12KT3 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
ECONO3-1
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
75А
FP75R12KT3BOSA1 FP75R12KT3BOSA1 IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 75A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:75A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:355W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor
Производитель:
Infineon Technologies
FP75R12KT4B15BOSA1
Производитель:
Infineon Technologies
FP75R12KT4_B15
Производитель:
Infineon Technologies
FS100R12KE3BOSA1 FS100R12KE3BOSA1 TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.2KV, 140A; 480W
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
140А
FS100R12KT3BOSA1 FS100R12KT3BOSA1 IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 100A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:480W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transisto
Производитель:
Infineon Technologies
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"