IGBT (БТИЗ) транзисторы

Новинки

Новинка
IGW20N60H3FKSA1
Наличие:
235 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 385,43
Новинка
IKA10N60TXKSA1
Наличие:
146 шт
Под заказ:
1 420 шт
Цена от: 119,25
Новинка
IKZA75N65SS5XKSA1
Наличие:
17 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 2 095,73
Новинка
DG50Q12T2
Наличие:
20 шт
Под заказ:
580 шт
Цена от: 573,30
Новинка
DG40X12T2
Наличие:
42 шт
Под заказ:
3 764 шт
Цена от: 287,69
Новинка
STGF15H60DF
Наличие:
202 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 97,93
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
(1223)
SEMiX603GB17E4pV1 IGBT Модуль Half Bridge 1700В 600А Производитель: Semikron Elektronik GmbH Напряжение коллектор-эмиттер: 1700В Ток коллектора: 600А
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
843 шт
Цена от:
от 15 546,59
SEMIX604GB12E4S IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 916A, 1.8V, 1.2kV, SEMiX 4s Производитель: Semikron Elektronik GmbH Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 1200А
SEMIX653GB176HDS Биполярный транзистор IGBT Производитель: Semikron Elektronik GmbH
SGB02N120ATMA1 Производитель: Infineon Technologies
SGB07N120ATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 16.5A Макс. рассеиваемая мощность: 125W
SGB10N60A Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 92 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO263-3
SGB8206ANSL3G Производитель: Littelfuse
SGB8206ANT4G Производитель: Littelfuse
SGD02N120BUMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA
SGD02N120BUMA1 Производитель: Infineon Technologies
SGF5N150UFTU Биполярный транзистор IGBT, 1500 В, 10 А, 62.5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PF Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1500 В Макс. ток коллектора: 10 А Импульсный ток коллектора макс.: 20 А Макс. рассеиваемая мощность: 62.5 Вт Переключаемая энергия: 190 мкДж
SGH30N60RUFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 235 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P
Акция SGH40N60UFD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600V Макс. ток коллектора: 40A Макс. рассеиваемая мощность: 160W
SGH80N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 195 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 220 А Макс. рассеиваемая мощность: 195 Вт Переключаемая энергия: 570 мкДж
SGL160N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 160 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 160 А Импульсный ток коллектора макс.: 300 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 2.5 мДж
SGL50N60RUFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 250 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 1.68 мДж
SGP02N120XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 6.2A Макс. рассеиваемая мощность: 62W
SGP07N120XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 16.5 А Импульсный ток коллектора макс.: 27 А Макс. рассеиваемая мощность: 125 Вт Переключаемая энергия: 1 мДж
Акция SGP15N120XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 52 А Макс. рассеиваемая мощность: 198 Вт Переключаемая энергия: 1.9 мДж
SGP23N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 23 А Импульсный ток коллектора макс.: 92 А Макс. рассеиваемая мощность: 100 Вт Переключаемая энергия: 115 мкДж
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"