IGBT (БТИЗ) транзисторы

Новинки

Новинка
IGW20N60H3FKSA1
Наличие:
235 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 385,43
Новинка
IKA10N60TXKSA1
Наличие:
146 шт
Под заказ:
1 420 шт
Цена от: 123,16
Новинка
IKZA75N65SS5XKSA1
Наличие:
17 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 2 053,82
Новинка
DG50Q12T2
Наличие:
20 шт
Под заказ:
580 шт
Цена от: 573,30
Новинка
DG40X12T2
Наличие:
32 шт
Под заказ:
3 251 шт
Цена от: 338,14
Новинка
STGF15H60DF
Наличие:
189 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 95,97
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
(1223)
RJP30H1DPD Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: DPAK/TO-252AA Макс. напр. коллектор-эмиттер: 360V Макс. ток коллектора: 30A Макс. рассеиваемая мощность: 40W
RJP30H2ADPE Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: D2PAK/TO263 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 360V Макс. ток коллектора: 35A
RJP43F4ADPP Биполярный транзистор IGBT, 30 Вт, 430 В, 40 А Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 430V Макс. ток коллектора: 40A Макс. рассеиваемая мощность: 30W
RJP6065DPP Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А, 30 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 630V Макс. ток коллектора: 40A Макс. рассеиваемая мощность: 30W
RJP63F3ADPP Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А, 30 Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220F Макс. напр. коллектор-эмиттер: 630V Макс. ток коллектора: 40A Макс. рассеиваемая мощность: 30W
Акция RJP63F4DPP Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220F
RJP63G4DPE Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: D2Pak (TO-263)
RT1000HF170P3H IGBT модуль 1700В, 1000А PrimePACK3 Производитель: Rongtech Industry (Shanghai) Inc. Напряжение коллектор-эмиттер: 1700В Ток коллектора: 1000А
RT1200HF170P3H IGBT модуль 1700В, 1200А, PrimePACK3 Производитель: Rongtech Industry (Shanghai) Inc. Напряжение коллектор-эмиттер: 1700В Ток коллектора: 1200А
SEMIX202GB12E4S Производитель: Semikron Elektronik GmbH
SEMIX302GAL12E4S Производитель: Semikron Elektronik GmbH
SEMIX302GB066HDS Силовой модуль IGBT N-канальный 600В 390А Производитель: Semikron Elektronik GmbH Напряжение коллектор-эмиттер: 600В Ток коллектора: 390А
SEMIX303GB12VS Производитель: Semikron Elektronik GmbH
SEMiX453GB12E4p IGBT модуль 1200В, 450A, econo dual 3 Производитель: Semikron Elektronik GmbH Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 450А
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 098 шт
Цена от:
от 8 039,72
SEMIX453GB12E4S Производитель: Semikron Elektronik GmbH
SEMiX453GB12M7p IGBT модуль 1200В, 450A, econo dual 3 Производитель: Semikron Elektronik GmbH Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 450А
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 098 шт
Цена от:
от 8 039,72
SEMiX453GB17E4 Силовой IGBT модуль 1700В 450А полумост Производитель: Semikron Elektronik GmbH Напряжение коллектор-эмиттер: 1700В Ток коллектора: 450А
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
4 224 шт
Цена от:
от 10 430,43
SEMiX453GM12E4p IGBT модуль 1200В, 450A, econo dual 3 Производитель: Semikron Elektronik GmbH Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 450А
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 098 шт
Цена от:
от 8 039,72
SEMiX603GAL17E4p IGBT Модуль Half Bridge 1700В 600А Производитель: Semikron Elektronik GmbH Напряжение коллектор-эмиттер: 1700В Ток коллектора: 600А
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
843 шт
Цена от:
от 15 546,59
SEMiX603GB12E4 Силовой IGBT модуль 1200В 600А полумост Производитель: Semikron Elektronik GmbH Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В Ток коллектора: 600А
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
510 шт
Цена от:
от 11 878,02
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"