IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,92
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
Акция
RJH3077DPK RJH3077DPK Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-3P
-6% Акция
RJH30H1DPP RJH30H1DPP Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
360V
Макс. ток коллектора:
30A
Макс. рассеиваемая мощность:
40W
Акция
RJH60F5DPK RJH60F5DPK Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-3P
Акция
RJK5020DPK RJK5020DPK Полевой транзистор, N-канал, 500 В, 40 А, 200 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-3P
Акция
RJK6015DPK RJK6015DPK Полевой транзистор, N-канал, 600 В, 21 А, 150 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-3P
Акция
RJP3065DPP RJP3065DPP Биполярный транзистор IGBT, 320 В, 40 А, 30 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-220F
Акция
RJP30E2DPP RJP30E2DPP Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А, 25 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-220F
Акция
RJP30E3DPP RJP30E3DPP Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 40 А, 30 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-220F
RJP30H1DPD RJP30H1DPD Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
360V
Макс. ток коллектора:
30A
Макс. рассеиваемая мощность:
40W
RJP30H1DPP-M0 RJP30H1DPP-M0 Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-220F
RJP30H2ADPE RJP30H2ADPE Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
D2PAK/TO263
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
360V
Макс. ток коллектора:
35A
RJP43F4ADPP RJP43F4ADPP Биполярный транзистор IGBT, 30 Вт, 430 В, 40 А
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-220F
RJP6065DPP RJP6065DPP Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А, 30 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-220F
RJP63F3ADPP RJP63F3ADPP Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А, 30 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
630V
Макс. ток коллектора:
40A
Макс. рассеиваемая мощность:
30W
Акция
RJP63F4DPP RJP63F4DPP Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-220F
RJP63G4DPE RJP63G4DPE Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
D2Pak (TO-263)
RT1000HF170P3H IGBT модуль 1700В, 1000А PrimePACK3
Производитель:
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.
RT1200HF170P3H IGBT модуль 1700В, 1200А, PrimePACK3
Производитель:
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.
RT1800SD170T4H IGBT модуль 1700В, 1800А, IHM B
Производитель:
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.
RT3600SD170T4H IGBT модуль 1700В, 3600А PrimePACK4
Производитель:
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"