IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 263,40
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 258,79
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 102,48
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,03
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 81,86
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
STGP15H60DF STGP15H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 115 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
115 Вт
Переключаемая энергия:
136 мкДж
STGP19NC60SD STGP19NC60SD Биполярный транзистор IGBT, 10 КГц, 20 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
130 Вт
Переключаемая энергия:
135 мкДж
STGP19NC60WD STGP19NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 22 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
125 Вт
Переключаемая энергия:
81 мкДж
STGP20V60F STGP20V60F Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 167 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
200 мкДж
STGP30NC60W STGP30NC60W Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
305 мкДж
STGP30V60DF STGP30V60DF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 60A 258Вт TO220AB
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Импульсный ток коллектора макс.:
120A
Макс. рассеиваемая мощность:
258W
Переключаемая энергия:
383 µJ (on), 233 µJ (off)
STGP30V60F STGP30V60F Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
260 Вт
Переключаемая энергия:
383 мкДж
STGP3HF60HD STGP3HF60HD Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 7.5A 38 Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
STGPL6NC60D STGPL6NC60D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 6 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
14 А
Импульсный ток коллектора макс.:
18 А
Макс. рассеиваемая мощность:
56 Вт
Переключаемая энергия:
46.5 мкДж
STGW15H120DF2 STGW15H120DF2 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 15 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
259 Вт
Переключаемая энергия:
380 мкДж
STGW20H60DF STGW20H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 167 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
209 мкДж
Новинка
STGW20IH125DF STGW20IH125DF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1250В 40A 259Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1250V
Макс. ток коллектора:
40A
Импульсный ток коллектора макс.:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
259W
Переключаемая энергия:
410 µJ (off)
STGW25H120F2 STGW25H120F2 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 25 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
100 А
Макс. рассеиваемая мощность:
375 Вт
Переключаемая энергия:
600 мкДж
STGW28IH125DF STGW28IH125DF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1250В 60A 375Вт TO-247
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1250V
Макс. ток коллектора:
60A
Импульсный ток коллектора макс.:
120A
Макс. рассеиваемая мощность:
375W
Переключаемая энергия:
720 µJ (off)
STGW30M65DF2 STGW30M65DF2 TRANSISTOR, IGBT, 650V, 60A, TO-247;
Производитель:
ST Microelectronics
Акция
STGW30N120KD STGW30N120KD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
STGW35HF60WDA STGW35HF60WDA Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 35 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
290 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
350 шт
Цена от:
от 286,87
STGW35NB60SD STGW35NB60SD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
70 А
Импульсный ток коллектора макс.:
250 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
840 мкДж
-6% Акция
STGW40H120DF2 STGW40H120DF2 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 468 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
468 Вт
Переключаемая энергия:
1 мДж
STGW40N120KD STGW40N120KD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
240 Вт
Переключаемая энергия:
3.7 мДж
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"