HGTG20N60A4, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт, 200 кГц
IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт, 200 кГц
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт, 200 кГц
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
HGTG20N60A4
Документы:
Описание HGTG20N60A4
Характеристики
Структура | n-канал |
---|---|
Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 70 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.8 |
Управляющее напряжение,В | 5.5 |
Мощность макс.,Вт | 290 |
Крутизна характеристики, S | - |
Температурный диапазон,С | -55…150 |
Дополнительные опции | встроенный быстродействующий диод |
Корпус | to-247 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара