HGTP12N60A4D, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
HGTP12N60A4D
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто2.85 г.
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара