HGTG30N60B3D, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 208Вт

Код товара: 121120

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
HGTG30N60B3D
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
220 А
Макс. рассеиваемая мощность:
208 Вт
Переключаемая энергия:
550 мкДж

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

600 В

Макс. ток коллектора

60 А

Импульсный ток коллектора макс.

220 А

Макс. рассеиваемая мощность

208 Вт

Переключаемая энергия

550 мкДж

Вес брутто

6.78 г.

Описание HGTG30N60B3D

Характеристики

Структураn-канал
Максимальное напряжение кэ ,В600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.45
Управляющее напряжение,В5
Мощность макс.,Вт208
Крутизна характеристики, S-
Температурный диапазон,С-55…150
Корпусto-247

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка HGTG30N60B3D , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 208Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.