HGTG30N60B3D, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 208Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 208Вт
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 208Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
HGTG30N60B3D
Документы:
Описание HGTG30N60B3D
Характеристики
| Структура | n-канал |
|---|---|
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 60 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.45 |
| Управляющее напряжение,В | 5 |
| Мощность макс.,Вт | 208 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Температурный диапазон,С | -55…150 |
| Корпус | to-247 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара