FDS6675BZ, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11A

Код товара: 129796

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDS6675BZ
Производитель:
Описание Eng:
Field-effect transistor, P-channel, 30 V, 11 A
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
200 шт
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

30В

Ток стока макс.

11A

Сопротивление открытого канала

14 мОм

Мощность макс.

1Вт

Тип транзистора

P-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

42нКл

Входная емкость

3000пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Вес брутто

0.2 г.

Описание FDS6675BZ

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FDS6675BZ , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.