IKW30N60TFKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 187 Вт
IGBT 600V 60A 187W TO247-3
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 187 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 187 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IKW30N60TFKSA1
Документы:
Описание IKW30N60TFKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Технология/семейство | trench and fieldstop |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 45 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 90 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.05 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 187 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 23 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 254 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Корпус | pg-to247-3 |
Структура | n-канал+диод |
Управляющее напряжение,В | 4.9 |
Крутизна характеристики, S | 16.7 |
Дополнительные опции | trench and fieldstop |
Вес, г | 7.5 |
Сообщите мне о поступлении товара