IRGP30B120KD-EP, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 300 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Obsolete
IGBT N-CH 1200V 60A 300 W
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 300 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 300 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRGP30B120KD-EP
Документы:
Описание IRGP30B120KD-EP
Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
| Технология/семейство | npt |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 60 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 300 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 50 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 210 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | TO-247AD |
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 1200 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 1200 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 30 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 300 |
| Корпус | to247ad |
| Структура | n-канал+диод |
| Управляющее напряжение,В | 5 |
| Крутизна характеристики, S | 16.9 |
| Вес, г | 7.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара