IRGPS60B120KDP, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 105 А
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Obsolete
IGBT Chip N-CH 1200V 105A
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 105 А
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 105 А
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRGPS60B120KDP
Документы:
Описание IRGPS60B120KDP
Характеристики
| Структура | n-канал |
|---|---|
| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 105 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Управляющее напряжение,В | 5 |
| Мощность макс.,Вт | 595 |
| Крутизна характеристики, S | 34.4 |
| Температурный диапазон,С | -55…150 |
| Дополнительные опции | - |
| Корпус | super247 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара