FGH40T100SMD, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт
Код товара: 197936
Дата обновления: 05.08.2021 14:10
Цена от: 291,77 руб.
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка FGH40T100SMD, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    TO-247
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    30 шт.
  • Вес брутто
    6.78 г.
  • Макс. напр. коллектор-эмиттер
  • Макс. ток коллектора
  • Импульсный ток коллектора макс.
  • Макс. рассеиваемая мощность
  • Переключаемая энергия

Описание FGH40T100SMD

Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

Технология/семействоtrench and fieldstop
Наличие встроенного диодада
Максимальное напряжение КЭ ,В1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A80
Импульсный ток коллектора (Icm), А120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс29
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс285
Рабочая температура (Tj), °C-55…+175
Корпусto-247a03
Вес, г7.5