FGH40T100SMD, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт
Цена от:
1 064,13 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FGH40T100SMD
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
| Технология/семейство | trench and fieldstop |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1000 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 333 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 29 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 285 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Корпус | to-247a03 |
| Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FGH40T100SMD , Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара