FGH40T100SMD, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
IGBT 1000V 80A 333W TO247-3
Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FGH40T100SMD
Документы:
Описание FGH40T100SMD
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
| Технология/семейство | trench and fieldstop |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1000 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 333 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 29 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 285 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Корпус | to-247a03 |
| Вес, г | 7.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара