FGH40T100SMD, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт

Код товара: 197936

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FGH40T100SMD
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 1000V 80A 333W TO247-3
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1000 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
333 Вт
Переключаемая энергия:
2.35 мДж

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

1000 В

Макс. ток коллектора

80 А

Импульсный ток коллектора макс.

120 А

Макс. рассеиваемая мощность

333 Вт

Переключаемая энергия

2.35 мДж

Корпус

TO-247

Вес брутто

6.78 г.

Описание FGH40T100SMD

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

Технология/семействоtrench and fieldstop
Наличие встроенного диодада
Максимальное напряжение КЭ ,В1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A80
Импульсный ток коллектора (Icm), А120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс29
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс285
Рабочая температура (Tj), °C-55…+175
Корпусto-247a03
Вес, г7.5

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FGH40T100SMD , Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.